① MOSFET은 다수캐리어의 이동에 의하여 동작 특성이 결 정되므로 단극성(unipolar) 소자이다.
② BJT에 비해 MOSFET은 입력 임피던스 값이 매우 커서 입 력 전류의 크기가 매우 작다.
③ BJT에 비해 MOSFET은 속도가 빠르므로 고속 회로 설계 에 더 적합하다.
④ BJT에 비해 MOSFET은 단위소자 면적을 줄일 수 있어서 고밀도 집적회로 설계가 가능하다.
정답 확인
정답 ③
3번
다음 파형을 상승에지 트리거 J-K 플립플롭에 인가하였을 때, 시간 t =t1, t2, t3, t4에서의 출력 Q를 차례대로 바르게 나열한 것은? (단, Q는 t =t0에서 1로 초기화되어 있으며, 게이트에서 전파지연은 없다고 가정한다)
① 0, 1, 0, 1
② 0, 0, 1, 1
③ 0, 1, 1, 1
④ 1, 0, 1, 0
정답 확인
정답 ③
4번
다음 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 제너 다이오드(Zener diode)는 순방향 바이어스에서의 제 너 항복현상에 의해서 일정한 전압을 공급한다.
② 발광 다이오드(light-emitting diode)는 순방향 바이어스 상태에서 전류가 인가되면 빛을 방출한다.
③ PN 접합 다이오드에서 역방향 바이어스를 인가하면 PN접 합부의 공핍층이 늘어난다.
④ 광수신 다이오드(photo diode)는 역방향 바이어스 상태에 서 빛이 인가되면 전류를 발생시킨다.
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정답 ①
5번
FM 방송에서 FM 변조 전에 프리엠퍼시스 필터를 사용하고 수신측에서는 디엠퍼시스 필터를 사용하는 이유는?
① 수신단 출력 잡음의 고주파 성분을 줄이기 위해
② 비선형 양자화를 위해
③ 스테레오 방송을 가능하게 하기 위해
④ 페이딩 현상을 방지하기 위해
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정답 ①
6번
그림과 같은 임펄스 응답 h [n]을 갖는 선형 시불변 이산시 스템에서 입력신호 x [n]에 대한 출력신호를 y [n]이라고 할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, h [0]=1, h [1]=-1이고 그 외의 모든 n에 대해서는 h [n]=0이다)
① x [n]이 n=0에서는 1이고 그 외의 모든 n에 대해서는 0 이라면, y [1]=-1이다.
② 모든n에 대하여x [n]=1이라면, 모든n에 대하여 y [n]= 0이다.
③ 입력신호 x [n-2]에 대한 출력신호는 y [n-2]이다.
④ y [n]은 x [n+1]의 영향을 받는다.
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정답 ④
7번
다음 차동증폭기 회로에서 입력 임피던스 Zin[kΩ]과 출력전 압 Vout[mV]는? (단, BJT는 서로 동일하고, BJT의 전류 이득 βac=100와 교류 이미터 저항 r'e=25 [Ω]이다. RE ≫r'e이고 BJT가 활성영역에서 동작한다고 가정한다) (순서대로 Zin, Vout)
① 2.5, 100
② 5, 100
③ 2.5, 200
④ 5, 200
정답 확인
정답 ②
8번
다음 반전증폭기 회로에서 고역 차단주파수[kHz]는? (단, 연 산 증폭기 자체의 중간영역 개방루프 전압이득은 100 [dB] 이고 고역 차단주파수는 10 [Hz]이다.)
① 1
② 10
③ 50
④ 100
정답 확인
정답 ②
9번
다음 회로에서 최대 전력이 부하 RL에 전달되기 위한 RL[Ω] 은?
① 6
② 8
③ 10
④ 12
정답 확인
정답 ④
10번
다음 스위칭 전원 회로에서 주기 T마다 듀티싸이클 D의 비 율만큼 스위치가 닫힐 때, 정상상태의 출력전압 Vout[V]는? (단, VS=1 [V], L =1 [mH], D =0.5, T=10 [㎲], R = 50 [Ω], C는 출력전압이 일정하도록 충분히 크고, 다이오드 및 스위치는 이상적이며, 인덕터 전류는 연속이라고 가정한 다.)
① 0.25
② 0.5
③ 1
④ 2
정답 확인
정답 ④
11번
다음 CMOS 논리회로에서 입력 A =1, B =1, C =0일 때 출력 Y= Y1이라고 하고 입력 A =0, B =1, C =1일 때 출력 Y= Y2라고 할 때, Y1과 Y2는? (순서대로 Y1, Y2)
① 1, 1
② 1, 0
③ 0, 1
④ 0, 0
정답 확인
정답 ②
12번
다음 BJT 공통컬렉터 증폭기 회로에 대한 설명으로 옳지 않 은 것은? (단, 이 증폭기는 중간주파수대역에서 동작하고 있 다고 가정한다)
① 전압 이득(Vout/Vin)은 1에 가깝다.
② 높은 입력저항 특성을 가지고 있어 버퍼 역할을 할 수 있다.
③ 커패시터 C1, C2는 직류신호를 차단하는 데 사용된다.
④ 출력신호는 입력신호와 180도의 위상차가 난다.
정답 확인
정답 ④
13번
다음 발진기 블록 다이어그램에서, 정상상태의 발진을 만들 기 위해 필요한 반전증폭기의 이득 A와 위상변이증폭기의 위상 변이 θ[°]는? (순서대로 A, θ)
① 1, 0
② 1, 180
③ 10, 0
④ 100, 180
정답 확인
정답 ④
14번
증가형 n-채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
① 기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.
② 채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.
③ 채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.
④ 드레인-소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.
정답 확인
정답 ②
15번
다음 회로에서 저항 8 [kΩ]의 양단에 걸리는 전압 VL [V] 는?
① -8
② -4
③ 4
④ 8
정답 확인
정답 ①
19번
다음 MOSFET 공통소스 증폭기 회로에서 M1이 포화영역에 서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, M1의 전 달컨덕턴스 gm =200[mS], 소신호 출력저항 ro=10[kΩ]이 고 RD=10[kΩ] 이다.)
① M1의 드레인-소스 전압 VDS는 VOV(=VGS-Vt, Vt는 문턱 전압)보다 작다.
② 증폭기 출력저항 Rout =10 [kΩ]이다.
③ M1의 얼리전압(Early voltage) VA=20 [V]이라면 드레인 전류 ID =2 [mA]이다.
④ 증폭기 전압이득 Av=30 [dB]이다.
정답 확인
정답 ③
20번
다음 증폭회로에서 입력 전류원 Is =2 [mA]일 때, 출력전 압 Vout [V]는? (단, 연산증폭기는 이상적이다.)
① 1
② 2
③ 4
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