9급 국가직 공무원 전자공학개론 2012년 1회 기출문제

다음 카르노맵(Karnaugh map)을 간략화하여 나타낸 논리식 은?

N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)

테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전 압(VTH)[V]과 테브난 저항(RTH)값[KΩ]은? (순서대로 VTH, RTH)

면적이 A인 평행한 두 금속판 사이의 거리가 d인 커패시터의 정전용량을 2배로 증가시키기 위한 방법으로 적절한 것은?

펄스코드변조(PCM)를 이용하여 1 KHz에서 최대 5 KHz 사이 의 신호를 나이퀴스트율로 표본화하여 변조하려고 할 때, 각 표본이 24－레벨의 정밀도를 가지려면 펄스코드변조의 비트 율 [Kbps]은?

다음 회로에서 입력전압(Vi)이 10V일 때, 20KΩ에 흐르는 전 류값 IL [mA]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작특성을 갖는 것으로 가정한다)

논리식 (A＋B)(A＋B')(A'＋B)(A'＋B')을 간단히 한 결과는?

발광다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳지 않은 것으로만 묶 인 것은?

다음 그림은 AM 변조된 DSB-LC(Double-Side-Band Large-Carrier) 파형이다. 변조 지수(modulation index)를 m이라 하고, 총 송신 전력 중 캐리어가 차지하는 전력의 비 율을 R이라고 할 때, m과 R을 구하면? (단, 그림에서 캐리 어 주파수는 신호보다 매우 높다고 가정한다) (순서대로 m, R)

QAM(Quadrature Amplitude Modulation) 변조 방식에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

다음 발진기의 명칭은?

다음 회로에서 BJT의 β가 아주 클 때, VCE 값[V]에 가장 근 접한 것은? (단, VBE＝0.7 V, IC≃IE 이다)

다음 회로에서 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 다이오드는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

다음 [그림 A]의 정현파를 [그림 B]의 구형파로 변환시키 는데 가장 적합한 회로는?

다음 회로에서 입력전압 V2가 －1V 일 때, 출력전압 VO값 [V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp와 다이오드는 이상적 인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

D-F/F을 사용한 다음 회로에서 IN에 "H"→"H"→"L"→"L"→ "H"→"H"의 논리값이 순차적으로 입력되면 OUT의 상태가 순차적으로 어떻게 변하는가? (단, OUT1, OUT2, OUT3, OUT4 노드들의 초기값은 모두 "L"이며, IN에 입력되는 논리 값 시간 간격은 CLK 신호주기와 같다고 가정한다)

다음회로에서출력전압Vo 값[V]은? (단, RA＝4KΩ, RB＝8KΩ 이다)

다음 회로의 출력전압 Vo값[V]은? (단, 회로에서 사용된 op-amp는 이상적인 동작 특성을 갖는 것으로 가정한다)

다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어 스 회로에서, 베이스－콜렉터간 전압값(VBC)이 －6 V가 되 기 위한 바이어스 저항 RC의 값[KΩ]은? (단, BJT의 β＝ 100, VBE＝0.7V, RB＝200 KΩ, C1＝C2＝10㎌, VCC＝10.7 V 이다)