④ 음수를 2의 보수로 표현할 때, 8비트 2진수 11001011을 10진수로 변환하면 -203이다.
정답 확인
정답 ④
2번
그림 ㉠∼㉣ 회로에 정현파 vi=10sin 500t[Ⅴ]가 각각 입력되 었을 때, 출력전압 VP-P[V]값이 바르게 연결되지 않은 것은? (단, 다이오드는 이상적이라고 가정한다.) (순서대로 회로, VP-P[V])
① ㉠, 0
② ㉡, 20
③ ㉢, 20
④ ㉣, 0
정답 확인
정답 ③
3번
㉠, ㉡에 들어갈 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대로 ㉠, ㉡)
① 포화영역(saturation region), 트라이오드 영역(triode region)
② 포화영역(saturation region), 포화영역(saturation region)
③ 트라이오드영역(triode region), 트라이오드 영역(triode region)
④ 트라이오드영역(triode region), 포화영역(saturation region)
정답 확인
정답 ①
4번
다음 교류회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 2πf0L ≫R이다.)
① L의 자기장세기가 증가하면 C의 전기장세기는 감소하며, 그 반대도 성립한다.
② 공진시 공진주파수는 1/2π√LC에 가깝다.
③ 공진주파수에서 임피던스는 최소가 된다.
④ R 값이 커질수록 에너지 소비가 커지므로 Q 값은 감소한 다.
정답 확인
정답 ③
5번
다음 회로에서 부하저항 RL이 최대전력 전달 조건을 만족하 는 저항값을 가질 때 부하저항 RL에서 소비되는 최대전력 [W]은?
① 8.25
② 9.25
③ 10.25
④ 11.25
정답 확인
정답 ④
6번
다음은 어떤 N 채널 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET)의 드 레인 특성곡선이다. 이 특성곡선에서 구한 핀치오프 (pinch-off) 전압 VP[V]와 드레인-소스 전압이 10 [V]일 때 의 순방향 전달 컨덕턴스 gm[mS]에 가장 가까운 값은? (순 서대로 VP[V], gm[mS])
① 2, 2
② 2, 5
③ 8, 2
④ 8, 5
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정답 ②
7번
㉠, ㉡에 들어갈 적합한 용어가 바르게 연결된 것은? (순서대 로 ㉠, ㉡)
① 앙상블(ensemble) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)
② 앙상블(ensemble) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)
③ 에일리어싱(aliasing) 고역, 통과 필터(High Pass Filter)
④ 에일리어싱(aliasing) 저역, 통과 필터(Low Pass Filter)
정답 확인
정답 ④
8번
다음 회로에서 상측 트리거 기준 전압 VUTP[V]와 하측 트리 거 기준 전압 VLTP[V]는? (단, +Vout(max)=+4V, -Vout(max)=-4V, 3RA=RB이다.) (순서대로 VUTP][V], VLTP[V])
① +1, -1
② +1, -3
③ +3, -1
④ +3, -3
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정답 ①
9번
다음의 상태표를 만족하는 순차회로를 D-플립플롭으로 설계 할 때, D-플립플롭 A의 입력 DA에 대한 논리식은? (단, 정 의되지 않은 상태는 ‘don't care’로 처리한다)
① DA =X+B
② DA =A'X+A'B+BX
③ DA =A'X+AB+AB'X
④ DA =X+AB'
정답 확인
정답 ①
10번
다음 회로의 출력전압 Vout[V]은?
① -27
② 9
③ 18
④ 27
정답 확인
정답 ②
11번
다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 제너(zener) 다이오드는 순방향 전압이 항복영역에 이르 면 역방향 전류가 크게 증가하는 특성이 있고, 정전압 제어에 사용된다.
② 터널(tunnel) 다이오드는 순방향 전압이 증가해도 전류가 감소하는 특성이 있고, 고속 스위칭에 사용된다.
③ 쇼트키(schottky) 다이오드는 PN 접합 다이오드보다 스 위칭타임이 짧고, 고속 스위칭에 사용된다.
④ PN 접합 다이오드에는 PN 접합으로 생성된 전위장벽 (potential barrier)에 의해 격리된 공핍층이 존재하며, 정 류작용에 사용된다.
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정답 ①
13번
다음의 PN 접합 다이오드 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 영역 I에서 전자는 (+)전위에 이끌려 P형쪽으로 이동한 다.
② 영역 II는 접합면에서의 전위장벽으로 인해 나타난다.
③ 영역 III에서는 온도가 변해도 전류값은 변하지 않는다.
④ 영역 IV에서는 눈사태 항복(avalanche breakdown) 현상 이 전류를 주도한다.
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정답 ③
14번
페르미 준위(Fermi level)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 절대온도 0K에서 최외각 전자가 가지는 에너지 준위이 다.
② 온도와 캐리어 농도에 따라 크기가 변한다.
③ 진성 반도체의 경우 금지대의 중앙에 위치한다.
④ 온도와 무관하게 전자 점유 확률이 1인 에너지 준위이 다.
정답 확인
정답 ④
15번
다음 회로에서 저항에 걸리는 전압 V1과 V2의 값 [V]은? (순서대로 V1, V2)
① 7, 6
② 7, 10
③ 8, 6
④ 8, 10
정답 확인
정답 ①
16번
다음 증폭기에서 베이스와 컬렉터 간의 교류전압이득에 가 장 가까운 값은? (단, VBE=0.7V, βDC=150, r′e=25mV/IE이 다.)
① 1.5
② 2
③ 2.5
④ 3
정답 확인
정답 ②
17번
다음 조건으로 변환된 오디오 데이터를 전송속도 2 kbps인 네트워크를 이용하여 실시간으로 전송할 때, 이론적으로 필 요한 최소 압축률[%]은? (단, 1 kbps=1,000 bps이며, 오 디오 데이터 이외의 부가정보는 무시한다.)
① 20
② 40
③ 60
④ 80
정답 확인
정답 ④
18번
논리식 A′B(D′+C′D)+B(A+A′CD)와 동일한 것은?
① AB
② B
③ AB+C′
④ A+BC′
정답 확인
정답 ②
20번
다음 동기식 카운터 회로의 카운트열(count sequence)을 10진수로 바르게 나열한 것은? (단, Q3, Q2, Q1의 초기 값 은 모두 0이라고 가정한다)
① 0 3 7 1 3 7 1 3
② 0 5 6 1 4 3 5 6
③ 0 6 5 3 2 4 6 5
④ 0 6 5 2 4 3 6 5 종이 문제집이 아닌 인터넷으로 문제를 풀고 자동으로 채점하며 모의고사, 오답 노트, 해설까지 제공하는 무료 기출문제 학습 프 로그램으로 실제 시험에서 사용하는 OMR 형식의 CBT를 제공합 니다. PC 버전 및 모바일 버전 완벽 연동 교사용/학생용 관리기능도 제공합니다. 에서 확인하세요.