반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 기출문제

2011-10-02 시행 · 72문항

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1번
PN 접합의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① 금지대 폭이 큰 반도체일수록 항복 전압이 낮다.
  2. ② 포화전류가 흐르도록 하는 바이어스 방향은 순방향 바이 어스이다.
  3. ③ N 영역이 음(-)이 되도록 외부 전압을 인가하면 포화전류 가 흐른다.
  4. ④ 역방향 전압을 점점 증가시켜 가면 어느 임계전압에서 전 류가 급증하게 되는데 이 현상을 항복 현상이라고 한다.
정답 확인

정답 ④

2번
PNP 트랜지스터가 활성영역에서 동작하는 경우는?
  1. ① 컬렉터-베이스, 이미터-베이스 접합이 모두 순방향 바이 어스 상태
  2. ② 컬렉터-베이서, 이미터-베이스 접합이 모두 역방향 바이 어스 상태
  3. ③ 컬렉터-베이스 접합이 역방향 바이어스, 이미터- 베이스 접합이 순방향 바이어스 상태
  4. ④ 컬렉터-베이스 접합이 역방향 바이어스, 이미터- 베이스 접합이 역방향 바이어스 상태
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정답 ③

3번
과대전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?
  1. ① 제너다이오드
  2. ② 터널다이오드
  3. ③ 리드다이오드
  4. ④ 본드형다이오드
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정답 ①

4번
반도체에서 전자가 원자의 속박으로부터 벗어나 전계에 의해 자유롭게 움직일 수 있는 에너지대는?
  1. ① 가전자대
  2. ② 충만대
  3. ③ 금지대
  4. ④ 전도대
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정답 ④

5번
MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?
  1. ① 전력소모가 많은 트랜지스터이다.
  2. ② VDS을 증가시키면 채널의 폭이 두꺼워져 드레인 lD가 증가 한다.
  3. ③ 드레인-소스간에 역방향 전압 VDS을 공급하면 드레인 전 류 Ie가 흐른다.
  4. ④ 게이트-소스간에 순방향 전입 VDS을 공급하면 드레인과 소스 사이에 채널이 형성된다.
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정답 ①

6번
다음 중 Si의 기본 격자구조로 올바른 것은?
  1. ① 단순입방형 구조
  2. ② 다이아몬드형 격자 구조
  3. ③ 세심입방형 구조
  4. ④ 원추입방형 구조
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정답 ②

7번
NPN 바이폴리 트랜지스터의 3가지 영역을 분순물의 도핑농 도 크기가 큰 순서대로 나열한 것은?
  1. ① 이미터 >베이스 >컬렉터
  2. ② 이미터 >컬렉터 >베이스
  3. ③ 컬렉터 >이미터 >베이스
  4. ④ 컬렉터 >베이스 >이미터
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정답 ①

8번
다음 중 n형 반도체를 만드는 불순물(Donor)이 아닌 것은?
  1. ① 안티온(Sb)
  2. ② 비소(As)
  3. ③ 인(P)
  4. ④ 붕소(B)
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정답 ④

9번
PN 접합에서 공간전하용량에 영향을 주지 않는 것은?
  1. ① 접합 연적의 크기
  2. ② 역포화 전류의 크기
  3. ③ 역방향 전압의 크기
  4. ④ 공간전하 영역의 폭
정답 확인

정답 ②

10번
다음 중 자유전자와 정공을 갖는 반도체에 전계를 가할 때 이들이 움직이는 방향으로 옳은 것은?
  1. ① 전자 및 정공이 다같이 (+)전극 쪽으로 움직인다.
  2. ② 전자는 (-)전극 쪽으로 정공은 (+)전극 쪽으로 움직인다.
  3. ③ 전자 및 정공이 다같이 (-)전극 쪽으로 움직인다.
  4. ④ 전자는 (+)전극 족으로, 정공은 (-)전극 쪽으로 움직인 다.
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정답 ④

11번
진성 반도체의 페르미(Fermi) 준위 위치는?
  1. ① 금지대의 상단에 위치
  2. ② 금지대의 중앙에 위치
  3. ③ 금지대의 하단에 위치
  4. ④ 온도에 따라 위치가 변화
정답 확인

정답 ②

12번
단결정의 제조방법으로 수소환원법, 열분해법, 불균등화 반 응법, 진공열착법 등을 이용하는 것은?
  1. ① 인상법(Pulling Method)
  2. ② 존레벨링법(Zone leveling method)
  3. ③ 다이아몬드 구조법(Diamond structure Method)
  4. ④ 플로팅존법(Floating Zone Method)
정답 확인

정답 ④

13번
PN 접합에 대한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① P형과 N형의 반도체가 같은 물질로 된 것을 헤테로 (hetero) 접합이라고 한다.
  2. ② 성장 접합법에서는 접합의 진행과정을 적당히 조절하면 P형에서 갑자기 N형으로 변환하는 계단형 접합을 구현 할 수 있다.
  3. ③ 일반적으로 Si 반도체 웨이퍼의 제조는 성장 접합법을 이용하며, 웨이퍼 위계 소자를 만들 때에는 확산접합법 을 이용한다.
  4. ④ 합금 접합법에서는 용융된 실리콘 표면에 종자 결정을 접촉시킨 후 서서히 인상하면서 종자 결정과 같은 구조 로 성장시켜 단결정을 얻는 과정에서 P형 및 N형 불순 물을 차례로 넣어주어 PN 접합을 만든다.
정답 확인

정답 ③

14번
단순입방의 구조를 갖는 반도체 재료에서 1개의 단위 셀당 포함되는 원자의 개수는?
  1. ① 1
  2. ② 2
  3. ③ 3
  4. ④ 4
정답 확인

정답 ①

15번
트랜지스터의 최대 정격에 대한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① 소자가 그 화학적 구조와 전기적 특성에 제한되는 범위 내에서 동작할 수 있는 최대 범위
  2. ② 소자가 그 물리적 구조와 전기적 특성에 제한되는 범위 내에서 동작할 수 있는 최대 범위
  3. ③ 소자가 그 화학적 구조와 전기적 특성에 제한되지 않는 범위 내에서 동작할 수 있는 최대 범위
  4. ④ 소자가 그 물리적 구조와 기계적 특성에 제한되지 않는 범위 내에서 동작할 수 있는 최대 범위
정답 확인

정답 ②

16번
반도체의 에너지 대역에서 금지대에 대한 설명으로 옳은 것 은?
  1. ① 전도대 위에 있다.
  2. ② 가전자대와 전도대 사이에 있다.
  3. ③ 가전자대 바로 밑에 있다.
  4. ④ 가전자대를 금지대로 부르기로 한다.
정답 확인

정답 ②

17번
접합전계효과트랜지스터(JFET)에서 판치오프(Pinch-off) 전 압이란?
  1. ① JFET 에벌런치 전압
  2. ② 드레인-소스 사이의 전압
  3. ③ 채널 폭에 막힐 때의 게이트 역방향 전압
  4. ④ 채널 폭이 최대로 되는 게이트 역방향 전압
정답 확인

정답 ③

18번
n 채널 pn접합 전계효과 트랜지스터의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
  1. ① 게이트에 0볼트를 인가하였을 때, 낮은 VDS에 대하여 lD 대 VD 특성은 거의 선형적이다.
  2. ② 몸의 전압을 게이트에 인가하면 공간 전하 영역은 좁아 진다.
  3. ③ 게이트에 전압을 인가하지 않아도 전류를 흘릴 수 있는 공핍(deoletion) 소자이다.
  4. ④ 드레인 전압을 너무 증가시키면 드레인 영역에서 핀치오 프(pinch off)가 발생한다.
정답 확인

정답 ②

19번
PN 접합에서 전류가 “0” 일 때의 설명으로 가장 적합한 것 은?
  1. ① 접합면을 지나는 다수 캐리어(Carrier)가 없다.
  2. ② 접합면을 지니는 소수 캐리어(Carrier)가 없다.
  3. ③ 접합면을 지나는 다수 캐리어(Carrier)와 소수 캐리어가 같다.
  4. ④ 접합면을 지나는 캐리어(Carrier)의 농도가 적다.
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정답 ③

20번
PN 접합에서 외부의 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?
  1. ① 확산작용
  2. ② 분리작용
  3. ③ 항복작용
  4. ④ 제너현상
정답 확인

정답 ①

22번
직류 증폭기에서 온도 변화 등의 영향으로 인하여 출력이 변동되는 현상은?
  1. ① 팔진
  2. ② 초퍼
  3. ③ 증폭
  4. ④ 드리프트
정답 확인

정답 ④

23번
저주파 전력증폭이의 출력측 기본파 전압이 50[V]이고, 제2 및 제3고조파 전압이 각각 4[V]와 3[V]일 때 왜율은?
  1. ① 5[%]
  2. ② 10[%]
  3. ③ 15[%]
  4. ④ 20[%]
정답 확인

정답 ②

24번
다음 중 수정발진기의 특징에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
  1. ① 수정진동지의 0가 매우 높다.
  2. ② 주파수의 안정도가 아주 좋다.
  3. ③ 발진조건을 만족하는 리액턴스의 유도성이 되는 주파수 범위가 매우 넓다.
  4. ④ 발진주파수를 가변하기가 어려운 단점이 있다.
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정답 ③

25번
디지털 변조가 아닌 것은?
  1. ① PM
  2. ② ASK
  3. ③ FSK
  4. ④ QAM
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정답 ①

26번
베이스 점지(C3) 증폭회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
  1. ① 입력임피던스가 낮다.
  2. ② 전류이득은 1보다 훨씬 크다.
  3. ③ 입력에 대한 출력은 통상이다.
  4. ④ 높은 주파수를 다루는 음용분야에 주로 사용된다.
정답 확인

정답 ②

28번
진폭 변조(AN)에서 반송파 진폭이 20[V] 이다. 25[V]의 진 폭을 가지는 신호파를 인가한 경우 변조도는?
  1. ① 0.65
  2. ② 0.8
  3. ③ 1.0
  4. ④ 1.25
정답 확인

정답 ④

29번
어떤 TR이 VDE= S[V]로 동작 된다. 이 TR의 최대 정격 전 력이 250[nA]이라면 견딜 수 있는 최대 컬렉터 전류는 약 몇 [nA] 인가?
  1. ① 20[nA]
  2. ② 42[nA]
  3. ③ 51[nA]
  4. ④ 64[nA]
정답 확인

정답 ②

30번
AM에서 1000[kHz]의 반송파가 35[kHz] 사인파에 의해 변 조될 때 상측파대 주파수는?
  1. ① 1000[kHz]
  2. ② 1035[kHz]
  3. ③ 1070[kHz]
  4. ④ 1124[kHz]
정답 확인

정답 ②

31번
다음의 연산증폭기회로에서 출력 전압 VD는?
반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 31번 문제 그림
  1. ① VD=K(V2-V1)
  2. ② VD=KV2-(K-1)V1
  3. ③ VD=(K+1)V2-KV1
  4. ④ VD=(K+1)(V2-V1)
정답 확인

정답 ①

32번
RC 결함 증폭기에서 주파수 대역폭을 1/4로 줄이면 증폭이 득은 약 얼마나 증가하는가?
  1. ① 8[dB]
  2. ② 10[dB]
  3. ③ 12[dB]
  4. ④ 14[dB]
정답 확인

정답 ③

33번
다음 중 연산증폭기에 관한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① 입력단자는 반전 입력(+)과 비반전 입력(-) 두 개가 있 다.
  2. ② 이상적인 연산증폭기의 주파수 대역폭은 매우 좁아 주파 수의 선택도가 매우 뛰어나다.
  3. ③ 이상적인 연산증폭기의 출력임피던스는 무한대의 값을 갖기 때문에 버퍼회로에 이용된다.
  4. ④ 연산증폭기는 선형 집적회로로 동작 전압이 낮고 신뢰도 가 매우 높다.
정답 확인

정답 ④

34번
푸시풀(push-pull) 증폭기의 설명으로 옳은 것은?
  1. ① B급이나 AB급으로 동작시킨다.
  2. ② 두 입력의 위상은 동상이어야 한다.
  3. ③ 공급 전압에 리플이 포함되어 있으면 부하에 나타난다.
  4. ④ 트랜지스터의 비선형 독성에서 오는 일그러짐이 증가한 다.
정답 확인

정답 ①

35번
무궤한 시 전압이득이 100인 증폭기에서 궤환률 0.09의 무 궤환을 걸었을 때 전압이득은?
  1. ① 1
  2. ② 9
  3. ③ 10
  4. ④ 50
정답 확인

정답 ③

36번
다음 부궤환 회로의 특징 중 옳은 것은?
  1. ① 궤환시 이득이 감소한다.
  2. ② 주파수 대역폭이 좁아진다.
  3. ③ 궤환시 왜율이 증가한다.
  4. ④ 궤환시 잡음이 증가한다.
정답 확인

정답 ①

37번
다음 그림은 반전연상증폭회로이다. 일 때 V1=3[V], V2=4[V]일 때 VD는 몇 [V] 인가?
  1. ① -12.5
  2. ② -13.75
  3. ③ -14.2
  4. ④ -15.25
정답 확인

정답 ①

38번
다음의 접합형 FET 회로에서 드레인 전류 l0=4[nA] 일 때 드레인과 소스 전압 Vcs는 몇 [V] 인가?
반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 38번 문제 그림
  1. ① 1[V]
  2. ② 2[V]
  3. ③ 3[V]
  4. ④ 4[V]
정답 확인

정답 ②

39번
연산증폭기 응용회로에서 궤환을 사용하지 않는 것은?
  1. ① 반전 증폭기
  2. ② 비반전 증폭기
  3. ③ 명전위 검출기
  4. ④ 사이트 트리거
정답 확인

정답 ③

41번
BCD(8421) 코드는 몇 개의 2진 비트를 사용하는가?
  1. ① 6개 비트
  2. ② 5개 비트
  3. ③ 4개 비트
  4. ④ 3개 비트
정답 확인

정답 ③

42번
일반적으로 미사용 상태가 발생하더라도 문제없이 정상적인 카운트 루프로 복귀하는 카운터를 사용하는 것이 안전하다. 이와 같이 미사용 상태에서 정상의 카운트 루프로 복귀하지 않는 상태를 무엇이라 하는가?
  1. ① glitch
  2. ② lockout
  3. ③ drop
  4. ④ jitter
정답 확인

정답 ②

43번
10진수 5에 대한 3-초과 코드로 옳은 것은?
  1. ① 0101
  2. ② 1100
  3. ③ 1000
  4. ④ 1001
정답 확인

정답 ③

44번
TTL IC에서 논리 0과 논리 1의 전압범위로 가장 옳은 것 은?
  1. ① 논리 D = 0~1.5V, 논리 1 = 3.5-7V
  2. ② 논리 D = 0~1.0V, 논리 1 = 5~10V
  3. ③ 논리 D = 0~0.8V, 논리 1 = 2-5V
  4. ④ 논리 D = 5~10V, 논리 1 = 0~5V
정답 확인

정답 ③

45번
시간 폭이 매우 좁은 트리거 펄스 열이 입력단에 가해진 다 면, 이 펄스가 나타나는 순간마다 출력 상태가 바뀌는 플립 플롭은?
반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 45번 문제 그림
  1. ① JK 플립플롭
  2. ② T 플립플롭
  3. ③ RS 플립플롭
  4. ④ D 플립플롭
정답 확인

정답 ②

46번
불 함수 를 최소항의 합으로 바르게 표시 한 것은?
  1. ① F(A, B, C) = Σ(1, 4, 5, 6, 7)
  2. ② F(A, B, C) = Σ(1, 2, 3, 6, 7)
  3. ③ F(A, B, C) = Σ(1, 3, 5, 6, 7)
  4. ④ F(A, B, C) = Σ(1, 2, 4, 6, 7)
정답 확인

정답 ①

47번
다음 그림의 회로 명칭으로 옳은 것은?
반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 47번 문제 그림반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 47번 문제 그림반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 47번 문제 그림반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 47번 문제 그림
  1. ① 2비트 직렬가산기
  2. ② 2비트 병렬가산기
  3. ③ 4비트 직렬가산기
  4. ④ 4비트 병렬가산기 48. 의 논리 방정식을 가장 간단히 표시한 것은?
  5. ⑤ A + B
  6. ⑥ AB
정답 확인

정답 ①

49번
2진코드 1111을 그레이(Gray) 코드로 변환하면?
  1. ① 1111
  2. ② 1000
  3. ③ 0000
  4. ④ 1001
정답 확인

정답 ②

50번
기억용량 단위인 4 니블(nibble)은 몇 바이트(byte)인가?
  1. ① 1
  2. ② 2
  3. ③ 3
  4. ④ 4
정답 확인

정답 ②

53번
드모르간(De Moragan)의 정리에 속하는 것은?
반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 53번 문제 그림
  1. ① A(A+B)=A
  2. ② AㆍB=BㆍA
  3. ③ A-(BㆍC)=(A+B)ㆍ(A+C)
정답 확인

정답 ④

54번
동기식 계수기의 특징과 가장 거리가 먼 것은?
  1. ① 회로가 복잡하다.
  2. ② 동작 속도가 저속이다.
  3. ③ 시간지연(time delay)이 발생하지 않는다.
  4. ④ 클록 펄스를 공동(병렬)으로 사용한다.
정답 확인

정답 ②

55번
다음 논리도의 기능은?
반도체커스텀레이아웃산업기사 2011년 1회 55번 문제 그림
  1. ① 4-to-1 라인 멀티플렉서
  2. ② 4-to-1 디코더
  3. ③ 4-to-1 크기 비교기
  4. ④ 4-to-1 인코더
정답 확인

정답 ①

56번
다음 회로 동작을 설명한 것 중 옳은 것은?
  1. ① 다수결 회로로 동작한다.
  2. ② Multiplexer 회로로 동작한다.
  3. ③ Encoder 회로로 동작한다.
  4. ④ A=1, B=1, C=0 일 경우 출력 Y=0 이 된다.
정답 확인

정답 ①

58번
동기식 모듈로-6 카운터(MOG-6)를 구성하는데 최소 몇 개 의 플립플롭이 필요한가?
  1. ① 2
  2. ② 3
  3. ③ 4
  4. ④ 5
정답 확인

정답 ②

59번
RS 플립플롭에 대한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① 입력신호가 모두 0일 때는 이전상태의 반전
  2. ② 입력신호가 모두 0일 때는 이전상태의 유지
  3. ③ 입력신호가 모두 1일 때는 이전상태의 반전
  4. ④ 입력신호가 모두 1일 때는 Reset
정답 확인

정답 ②

60번
JK 플립플롭에서 J=1, K=1 일 때, 출력(Q)의 값은?
  1. ① 0
  2. ② 1
  3. ③ 불변
  4. ④ 반전
정답 확인

정답 ④

61번
미리 설계해 놓은 여러 소재들의 데이터(레이아웃데이터)를 모아 놓은 일종의 데이터베이스를 무엇이라고 하는가?
  1. ① 셀 라이브러리
  2. ② 패키지
  3. ③ 서브 프로그램
  4. ④ 고정 배선
정답 확인

정답 ①

62번
MOS 구조의 전계효과 중 게이트 전압 Vs가 크게 증가하면 전계의 증가에 의해 산화층과 실리콘의 경계면에 소수 캐리 어인 전자가 모이는 현상은?
  1. ① 공핍 모드(Depletion mode)
  2. ② 반전 모드(Inversion mode)
  3. ③ 축적 모드(Accumulation mode)
  4. ④ 바디 바이어스 효과(Body bias effect)
정답 확인

정답 ②

63번
CMOS 제조 과정에서는 nMOS와 pMDS 트랜지스터를 만들 때 생기는 n 층과 p 층간의 결함(n-p-n-p 또는 p-n-p-n) 에 의해 기성 트랜지스터가 구성되는데, 이 기생 트랜지스 터가 결합되어 Vds와 Vss사이에 전류 통로가 형성되는 현상 을 무엇이라고 하는가?
  1. ① 단락(Short)
  2. ② 래치업(Latch-up)
  3. ③ 상호연결 기생요소
  4. ④ ESD(Efectroslatic Dischange)
정답 확인

정답 ②

64번
다음 중 Integrated Cirouit(IC)에 포함시키기가 어려운 소자 는?
  1. ① 트랜지스터(Transistor)
  2. ② 다이오드(Diode)
  3. ③ 코일(Coil)
  4. ④ 저항(Resistor)
정답 확인

정답 ③

65번
CMOS 인버터(Inverter) DC 특성 곡선에서 최대 전류가 흐 르는 NMOS와 PMOS의 동작 영역은?
  1. ① NMOS와 PMOS 모두 선형 영역
  2. ② NMOS는 포화 영역, PMOS는 선형 영역
  3. ③ NMOS와 PMOS 모두 포화 영역
  4. ④ NMOS는 선형 영역, PMOS는 포화 영역
정답 확인

정답 ③

66번
집적회로 구현을 위한 웨이퍼 제조 공정에 해당하지 않는 것은?
  1. ① 현상 공정
  2. ② 확산 공정
  3. ③ 박막 공정
  4. ④ 칩 테스팅 공정
정답 확인

정답 ④

67번
다음 모노리틱(Monolithic) IC의 제조과정 중 제일 마지막에 수행하는 공정은?
  1. ① 에피택셜(Epitaxial) 성장
  2. ② 산화막(Oxide) 생성
  3. ③ 알루미늄 증착
  4. ④ 불순물 확산
정답 확인

정답 ③

68번
전달게이트(transmission gate)에 대한 설명으로 틀린 것은?
  1. ① 스위치로 사용하기 위하여 NMOS와 PMOS를 병렬로 연 결한 것이다.
  2. ② 두 개의 MOS 중 하나가 고장일 경우에도 동작을 한다.
  3. ③ 실리콘 사용 면적이 감소하여 회로가 단순화 된다.
  4. ④ ON 상태에서 NMOS와 PMOS가 모두 도통이 되므로 패 스트랜지스터보다 ON 상태의 저항이 적다.
정답 확인

정답 ③

69번
다음 중 직접회로설계의 전반부(front-end) 설계에 해당하 지 않는 것은?
  1. ① 레이아웃 설계(layout design)
  2. ② 논리회로 설계(logic design)
  3. ③ 구조수준 설계(structural-level design)
  4. ④ 행위수준 설계(behavloral-level design)
정답 확인

정답 ①

70번
시스템의 행동을 기술하기 위한 하드웨어 기술 언어에 속하 는 것은?
  1. ① C-LANGUAGE
  2. ② VERILOG
  3. ③ PASCAL
  4. ④ COBOL
정답 확인

정답 ②

71번
VLSI 레이아웃 설계 후 레이아웃 도면으로부터 추출한 저항 및 커패시턴스 값을 반영하여 논리 시뮬레이션을 다시 실시 하는 과정을 일컫는 것은?
  1. ① floor planning
  2. ② back annotation
  3. ③ logic synthesis
  4. ④ self-alignment
정답 확인

정답 ②

72번
동적 CMOS 로직과 거의 같으나, 출력단에 인버팅래치가 달 려있는 점이 다른 로직은?
  1. ① 도미노 로직
  2. ② 카미노 로직
  3. ③ 슈도 로직
  4. ④ 트랜스 로직
정답 확인

정답 ①

73번
다음 중 문턱전압(threshold voltage)에 대한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① 전류가 포화상태일 때의 드레인 전압
  2. ② 채널이 사라지기 시작하는 게이트 전압
  3. ③ 전류가 포화상태로 진압하는 게이트 저압
  4. ④ 드레인 전류가 흐를 수 있도록 채널이 형성되는 시점의 게이트 전압
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정답 ④

74번
MOSFET에서 K×M/L는 무엇을 정의하는 식인가? (단, K:공 정 전달 전도도, W:트랜지스터 채널폭, L:트랜지스터 길이)
  1. ① 소자 전달 전도도
  2. ② 캐리어 이동도
  3. ③ 게이트 유전막
  4. ④ 유효채널
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정답 ①

75번
게이트 전압(V)이 기관 전압(V )보다 낮은 전위를 갖는 경우, MOS 구조의 동작 모드는?
  1. ① 반전 모드(Inversion Mode)
  2. ② 공정 모드(Depletion Mode)
  3. ③ 증가 모드(Enhancement Mode)
  4. ④ 축적 모드(Accumulation Mode)
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정답 ④

76번
다음 중 직접회로 공정에서 불순물을 첨가하는 방법이 아닌 것은?
  1. ① 확산
  2. ② 이온 주입
  3. ③ 성장
  4. ④ 산화
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정답 ④

78번
게이트 어레이 방식 설계에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
  1. ① 웨이퍼를 절약할 수 있다.
  2. ② 칩 제조 공정의 시간이 절약된다.
  3. ③ 회로 설계의 유연성이 증가한다.
  4. ④ 표준 셀 방식보다 칩의 크기가 작다.
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정답 ④

79번
실제로 클럭 신호는 MOS의 저항 및 용량 특성에 따라서 전 달 과정에서 지연 효과를 갖게 되어 클럭의 시간차가 생긴 다. 이와 같은 현상을 무엇이라고 하는가?
  1. ① 글리치(glitch)
  2. ② 해저드(hazard)
  3. ③ 경합(race)
  4. ④ 스큐(skew)
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정답 ④

80번
MOS 트랜지스터에서 게이트 출력이 ‘1“ 또는 ”0“레벨에 있 을 경우 DC 전력을 거의 소모하지 않는 디바이스는?
  1. ① n-MOS
  2. ② p-MOS
  3. ③ I-MOS
  4. ④ CMOS 종이 문제집이 아닌 인터넷으로 문제를 풀고 자동으로 채점하며 모의고사, 오답 노트, 해설까지 제공하는 무료 기출문제 학습 프로그램으로 실제 시험에서 사용하는 OMR 형식의 CBT를 제공합니다. PC 버전 및 모바일 버전 완벽 연동 교사용/학생용 관리기능도 제공합니다. 최신 수정된(오타, 오답, 규정변경) 자료와 해설은
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정답 ④

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