전자기사 2018년 3회 기출문제

2018-09-15 시행 · 85문항

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1번
자계의 세기를 표시하는 단위와 관계 없는 것은?
  1. ① A/m
  2. ② N/Wb
  3. ③ Wb/h
  4. ④ Wb/H·m
정답 확인

정답 ③

2번
질량 m=5×10-10[kg]이고, 전하량 q=2.5×10-8[C]인 전하 가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도를 a=103i +102j 라 하면 전장은?
  1. ① E = i + 10j
  2. ② E = 20i + 2j
  3. ③ E = 10-2i + 10-7j
  4. ④ E = 15i + 10j
정답 확인

정답 ②

3번
두 종류의 유전율(ε1, ε2)을 가진 유전체 경계면에 진전하가 존재하지 않을 때 성립하는 경계조건을 옳게 나타낸 것은? (단, θ1, θ2는 각각 유전체 경계면의 법선벡터와 E1, E2가 이루는 각이다.)
전자기사 2018년 3회 3번 문제 그림전자기사 2018년 3회 3번 문제 그림
  1. ① E1sinθ1=E2sinθ2, D1sinθ1=D2sinθ2,
  2. ② E1cosθ1=E2cosθ2, D1sinθ1=D2sinθ2,
  3. ③ E1sinθ1=E2sinθ2, D1cosθ1=D2cosθ2,
  4. ④ E1cosθ1=E2cosθ2, D1cosθ1=D2cosθ2,
정답 확인

정답 ③

4번
자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① 투자율에 반비례한다.
  2. ② 자기회로의 단면적에 비례한다.
  3. ③ 자기회로의 길이에 반비례한다.
  4. ④ 단면적에 반비례하고 길이의 제곱에 비례한다.
정답 확인

정답 ①

5번
높은 주파수의 전자파가 전파될 때 일기가 좋은 날보다 비 오는 날 전자파의 감쇠가 심한 원인은?
  1. ① 도전율 관계임
  2. ② 유전율 관계임
  3. ③ 투자율 관계임
  4. ④ 분극률 관계임
정답 확인

정답 ①

7번
평행판 콘덴서의 극판 사이에 유전율이 각각 ε1, ε2인 두 유 전체를 반씩 채우고 극판 사이에 일정한 전압을 걸어줄 때 매질 (1), (2) 내의 전계의 세기 E1, E2 사이에 성립하는 관 계로 옳은 것은?
  1. ① E2 = E1
  2. ② E2 = 2E1
  3. ③ E2 = 4E1
  4. ④ E2 = E1 / 4
정답 확인

정답 ④

8번
코일 A 및 코일 B가 있다. 코일 A의 전류가 1/30초간에 10A 변화할 때 코일 B에 10V의 기전력을 유도한다고 한 다. 이 때의 상호인덕턴스는 몇 H 인가?
  1. ① 1/0.3
  2. ② 1/3
  3. ③ 1/30
  4. ④ 1/300
정답 확인

정답 ③

9번
전계 E(V/m)가 두 유전체의 경계면에 평행으로 작용하는 경우 경계면의 단위면적당 작용하는 힘은 몇 N/m2 인가? (단, ε1, ε2는 두 유전체의 유전율이다.)
전자기사 2018년 3회 9번 문제 그림전자기사 2018년 3회 9번 문제 그림전자기사 2018년 3회 9번 문제 그림전자기사 2018년 3회 9번 문제 그림전자기사 2018년 3회 9번 문제 그림
  1. ① f = E2(ε1-ε2) 10. 자기 벡터포텐셜 (Wb/m) 일 때, , 1 ＜ ρ ＜ 2m, 0 ＜ Z ＜ 5m 표면을 통과 하는 전 자속은 몇 Wb 인가?
  2. ② 2.75
  3. ③ 3.25
  4. ④ 3.75
  5. ⑤ 4.25
정답 확인

정답 ③

12번
자유공간 중에서 점 P(2, -4, 5)가 도체면상에 있으며, 이 점에서 전계 E=3ax-6ay+2az[V/m]이다. 도체면에 법선성 분 En 및 접선성분 Ei의 크기는 몇 [V/m] 인가?
  1. ① En = 2, Ei = 3
  2. ② En = 7, Ei = 0
  3. ③ En = -6, Ei = 0
  4. ④ En = 3, Ei = -6
정답 확인

정답 ②

14번
공기 중의 원점의 점전하에서 0.5m, 2m 거리의 전위가 각 각 30V, 15V일 때 1m 거리인 점의 전위는 몇 V 인가?
  1. ① 15
  2. ② 17.5
  3. ③ 20
  4. ④ 22.5
정답 확인

정답 ③

15번
전기력선의 성질에 대한 설명 중 옳은 것은?
  1. ① 전기력선은 등전위면과 평행하다.
  2. ② 전기력선은 도체 표면과 직교한다.
  3. ③ 전기력선은 도체 내부에 존재할 수 있다.
  4. ④ 전기력선은 전위가 낮은 점에서 높은 점으로 향한다.
정답 확인

정답 ②

16번
같은 방향의 전류가 흐르는 두 무한 직선 전류가 일정한 거리 떨어져 있을 때 한 무한 직선 전류에 의해 작용되는 다른 무한직선 전류의 전자력은?
  1. ① 두 무한 직선전류의 방향으로 작용한다.
  2. ② 두 무한 직선전류와 수직방향이며 흡인력이다.
  3. ③ 두 무한 직선전류간의 거리에 반비례하며 반발력이다.
  4. ④ 두 무한 직선전류의 곱에 비례하고 거리의 제곱에 반비 례한다.
정답 확인

정답 ②

18번
반지름 a(m)의 원주도체(투자율 μ) 내부에 균일하게 전류 I(A)가 흐를 때 도체의 단위길이에 저장되는 내부 에너지 는 몇 J/m 인가?
  1. ① μI2 / 8π
  2. ② μaI2 / 8π
  3. ③ μI2 / 16π
  4. ④ μaI2 / 16π
정답 확인

정답 ③

19번
대지면에 높이 h로 평행하게 가설된 매우 긴 선전하가 지 면으로부터 받는 힘은?
  1. ① h2에 비례한다.
  2. ② h에 비례한다.
  3. ③ h2에 반비례한다.
  4. ④ h에 반비례한다.
정답 확인

정답 ③

20번
히스테리시스 곡선의 기울기는 다음의 어떤 값에 해당하는 가?
  1. ① 투자율
  2. ② 유전율
  3. ③ 자화율
  4. ④ 감자율
정답 확인

정답 ①

23번
그림의 회로에서 일정 전압(E)에 대해서 L을 변화시킬 때 선로 전류 (I)는 일 경우 어떻게 되는가?
전자기사 2018년 3회 23번 문제 그림전자기사 2018년 3회 23번 문제 그림
  1. ① 최대가 된다.
  2. ② 최소가 된다.
  3. ③ 지수 함수 형태가 된다.
  4. ④ 변하지 않는다.
정답 확인

정답 ②

24번
지수함수 e-at의 라플라스 변환은?
  1. ① 1 / (S+a)
  2. ② 1 / (S-a)
  3. ③ S + a
  4. ④ S - a
정답 확인

정답 ①

25번
테브난의 정리와 쌍대의 관계가 있는 것은?
  1. ① 밀만의 정리
  2. ② 중첩의 정리
  3. ③ 노튼의 정리
  4. ④ 상사 정리
정답 확인

정답 ③

26번
그림과 같은 T형 회로에서 단자 1-1' 측에서 바라본 개방 임피던스(Z1O) 및 단락 임피던스(Z1S)를 구하면 각각 몇 Ω 인가?
전자기사 2018년 3회 26번 문제 그림
  1. ① Z1O=1000, Z1S=51
  2. ② Z1O=100, Z1S=500
  3. ③ Z1O=1000, Z1S=36
  4. ④ Z1O=1000, Z1S=510
정답 확인

정답 ④

27번
RL 및 RC 회로의 과도 상태에 관한 설명 중 틀린 것은?
  1. ① t=0 일 때 C는 단락 상태가 된다.
  2. ② 시정수가 크면 정상 상태에 빨리 도달한다.
  3. ③ t=0 일 때 L은 개방 상태가 된다.
  4. ④ 변화하지 않는 저항만의 회로에서는 과도현상이 없다.
정답 확인

정답 ②

28번
선형 회로망에서 단자 a, b 간에 200V의 전압을 가할 때 c, d에 흐르는 전류가 10A이었다. 반대로 같은 회로에서 c, d간에 100V를 가하면 a, b에 흐르는 전류는 몇 A 인 가?
전자기사 2018년 3회 28번 문제 그림
  1. ① 2.5
  2. ② 15
  3. ③ 10
  4. ④ 5
정답 확인

정답 ④

29번
그림과 같은 회로의 입력 전압의 위상은 출력 전압의 위상 에 비해 어떻게 되는가?
전자기사 2018년 3회 29번 문제 그림
  1. ① 앞선다.
  2. ② 뒤진다.
  3. ③ 같다.
  4. ④ 앞설 수도 있고 뒤질 수도 있다.
정답 확인

정답 ①

31번
다음과 같은 회로망에서 단자 1, 2에서 바라본 테브난 등 가저항의 크기는?
전자기사 2018년 3회 31번 문제 그림
  1. ① 3Ω
  2. ② 5Ω
  3. ③ 8Ω
  4. ④ 12Ω
정답 확인

정답 ③

34번
상수 A를 푸리에 변환(Fourier Transform)하면?
  1. ① 0
  2. ② 1
  3. ③ 2πAδ(w)
  4. ④ Aδ(w)
정답 확인

정답 ③

35번
기본파의 30%인 제2고조파와 20%인 제3고조파를 포함하 는 전압의 왜형률은?
  1. ① 0.24
  2. ② 0.28
  3. ③ 0.32
  4. ④ 0.36
정답 확인

정답 ④

36번
저항 3Ω, 유도 리액턴스 4Ω의 직렬회로에 60Hz의 정현파 전압 180V를 가했을 때 흐르는 전류의 실효치는?
  1. ① 26A
  2. ② 36A
  3. ③ 45A
  4. ④ 60A
정답 확인

정답 ②

37번
정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류 했을 때 의 평균값은?
  1. ① Vm / π
  2. ② Vm / √2
  3. ③ Vm / 2
  4. ④ 2Vm / π
정답 확인

정답 ①

40번
그림과 같은 페이저(phasor)도가 있을 때 등가 임피던스를 구하면?
전자기사 2018년 3회 40번 문제 그림
  1. ① 38.3 + j30.4
  2. ② 28.3 + j28.3
  3. ③ 20.5 + j20.5
  4. ④ 61.3 + j57.8
정답 확인

정답 ②

41번
전압 증폭기에서 A가 기본 증폭회로의 이득이고, β가 귀환 회로의 이득일 때, 전압이득이 증가되는 조건은?
전자기사 2018년 3회 41번 문제 그림
  1. ① | 1-βA | = 0
  2. ② | 1-βA | ＜ 0
  3. ③ | 1-βA | ＞ 0
  4. ④ | 1-βA | ＜ 1
정답 확인

정답 ④

42번
변압기의 1차 전압(Vin)이 100Vrms이고, 입력과 출력의 권 선비가 10:1일 때, 브리지 정류기에 사용되는 정류다이오 드의 최대 역 전압(PIV)은 몇 V 인가?
전자기사 2018년 3회 42번 문제 그림
  1. ① 9.3
  2. ② 8.4
  3. ③ 13.44
  4. ④ 12.74
정답 확인

정답 ③

43번
다음과 같이 미분 연산증폭기에 삼각파 입력이 공급될 때, 출력전압의 범위는?
전자기사 2018년 3회 43번 문제 그림
  1. ① -3.3V ~ +3.3V
  2. ② -4.4V ~ +4.4V
  3. ③ -5.5V ~ +5.5V
  4. ④ -6.6V ~ +6.6V
정답 확인

정답 ②

44번
다음 중 발진회로에 대한 설명으로 적절하지 않은 것은?
  1. ① 발진회로는 정귀환 회로로 이루어져 있다.
  2. ② 발진조건은 귀환율 β=1 이다.
  3. ③ 위상 변위(phase-shift) 발진기의 귀환 회로는 출력신 호의 위상이 180도 변위가 일어나도록 구성되어 있다.
  4. ④ 발진이 잘 일어나게 하기 위해서는 개방 루프 이득 (open loop gain)을 이론치보다 약간 높게 설정한다.
정답 확인

정답 ②

45번
발진주파수를 안정시키는 방법으로 적합하지 않은 것은?
  1. ① 항온조 시설을 한다.
  2. ② 정전압 회로를 설치한다.
  3. ③ 주파수 체배기를 사용한다.
  4. ④ 온도 보상용 부품을 사용한다.
정답 확인

정답 ③

46번
그림의 회로에서 R1, R2, R3, Rf가 각각 2kΩ, 3kΩ, 1kΩ, 9kΩ 일 때, 중첩의 원리를 사용하여 출력전압(VO)을 구하 면?
전자기사 2018년 3회 46번 문제 그림
  1. ① VO = 3v1+2v2
  2. ② VO = 2v1+3v2
  3. ③ VO = 6v1+4v2
  4. ④ VO = 4v1+6v2
정답 확인

정답 ③

47번
저주파 증폭기의 직류 입력은 2kV, 400mA 이고, 효율은 80%일 때 부하에서 나타나는 전력은?
  1. ① 640W
  2. ② 600W
  3. ③ 480W
  4. ④ 320W
정답 확인

정답 ①

48번
트랜지스터의 직류증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?
  1. ① hre의 온도변화
  2. ② hfe의 온도변화
  3. ③ VBE의 온도변화
  4. ④ ICO의 온도변화
정답 확인

정답 ①

50번
단위 이득 주파수(fT)가 260MHz인 트랜지스터가 중간 영 역에서 전압이득이 50인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은?
  1. ① 2.7MHz
  2. ② 3.5MHz
  3. ③ 5.2MHz
  4. ④ 25.4MHz
정답 확인

정답 ③

51번
베이스 접지 증폭기 회로에서 전류 증폭율(αo)과 차단 주 파수(fo)가 각각 0.97, 1MHz인 트랜지스터가 2MHz로 동 작할 때 전류 증폭율(α)은?
  1. ① 0.642
  2. ② 0.434
  3. ③ 0.542
  4. ④ 0.145
정답 확인

정답 ②

52번
다이오드와 커패시터를 사용하여 입력전압의 2배, 3배, 4 배로 증가시키는 회로는?
  1. ① 클리퍼 회로
  2. ② 클램퍼 회로
  3. ③ 체배기 회로
  4. ④ 적분기 회로
정답 확인

정답 ③

53번
다음 회로에 vi=100sinwt의 입력이 가해질 경우 출력파형 의 형태와 최대치 전압으로 가장 적합한 것은? (단, D1, D2는 이상적인 다이오드이다.)
전자기사 2018년 3회 53번 문제 그림
  1. ① 정현파, 약 10V
  2. ② 구형파, 약 10V
  3. ③ 정현파, 약 40V
  4. ④ 구형파, 약 40V
정답 확인

정답 ④

54번
다음 중 플립플롭과 같은 기능을 가지는 회로는?
  1. ① 무안정 멀티바이브레이터
  2. ② 슈미트 트리거
  3. ③ 쌍안정 멀티바이브레이터
  4. ④ 단안정 멀티바이브레이터
정답 확인

정답 ③

55번
빈 브리지 발진기에서 R=3.3kΩ, C=5nF일 때 발진 주파수 는 몇 kHz 인가?
전자기사 2018년 3회 55번 문제 그림
  1. ① 9.65
  2. ② 8.54
  3. ③ 6.53
  4. ④ 10.56
정답 확인

정답 ①

56번
베이스 변조와 비교한 컬렉터 변조의 특징으로 적합하지 않은 것은?
  1. ① 조정이 어렵다.
  2. ② 변조효율이 좋다.
  3. ③ 대전력 송신기에 적합하다.
  4. ④ 높은 변조도에서 일그러짐이 적다.
정답 확인

정답 ①

57번
다음 회로는 한 쌍의 이미터 폴로어가 직렬로 연결된 달링 턴 증폭기이다. 전압이득은 1에 근사한 값인데 달링턴 증 폭기가 많이 사용되는 이유는?
  1. ① 입력 임피던스가 높고 출력 임피던스도 높기 때문
  2. ② 입력 임피던스는 높고 출력 임피던스는 낮기 때문
  3. ③ 입력 임피던스는 낮고 출력 임피던스는 높기 때문
  4. ④ 입력 임피던스가 낮고 출력 임피던스도 낮기 때문
정답 확인

정답 ②

59번
비안정 멀티바이브레이터 회로에서 출력 전압의 파형은?
  1. ① 구형파
  2. ② 정현파
  3. ③ 삼각파
  4. ④ 스텝파
정답 확인

정답 ①

60번
전원 정류 회로의 리플 함유율을 작아지게 하는 방법으로 서 가장 적당한 것은?
  1. ① 출력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 크게 한다.
  2. ② 출력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 작게 한다.
  3. ③ 입력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 크게 한다.
  4. ④ 입력 측 평활용 커패시터의 정전 용량을 작게 한다.
정답 확인

정답 ①

61번
Ge과 비교하였을 때, Si의 장점이 아닌 것은?
  1. ① 이동도(mobility)가 크다.
  2. ② 안정된 SiO2을 만들 수 있다.
  3. ③ 금지대(forbidden gap)가 크기 때문에 온도 특성이 우 수하다.
  4. ④ 선택된 작은 부분에서 불순물의 농도를 조절할 수 있 다.
정답 확인

정답 ①

62번
열전자 방출현상에서 전류와 일함수와의 관계를 나타낸 식 은?
  1. ① Einstein의 관계식
  2. ② Langmuir-Child의 관계식
  3. ③ Richardson-Dushmann의 관계식
  4. ④ Schottky의 관계식
정답 확인

정답 ③

63번
광전자 방출에 관한 특징과 거리가 먼 것은?
  1. ① 방출전자의 개수는 빛의 세기에 비례한다.
  2. ② 방출전자의 초속도는 빛의 세기에 의하여 변화된다.
  3. ③ 빛을 조사한 즉시 전자가 방출한다.
  4. ④ 방출전자의 개수 및 속도는 광범한 온도 범위에서 온도 와 관계없이 일정하다.
정답 확인

정답 ②

64번
전자의 수가 33인 원자의 가전자 수는?
  1. ① 2개
  2. ② 3개
  3. ③ 4개
  4. ④ 5개
정답 확인

정답 ④

65번
어떤 물질에 일정한 진동수의 X선을 비추면 그 물질에 의 해 산란된 X선 중에서 입사 X선보다 파장이 긴 X선 성분 이 포함되는 현상을 무엇이라고 하는가?
  1. ① 광전효과
  2. ② 초전효과
  3. ③ 콤프턴효과
  4. ④ 기전효과
정답 확인

정답 ③

67번
광전자 방출 현상에서 방출된 전자의 운동에너지(Ek)는 다 음과 같이 표시된다. 여기서 Ew는 무엇을 의미 하는가? (단, ν는 광자의 주파수, h는 프랭크(plank) 상수이다.)
전자기사 2018년 3회 67번 문제 그림
  1. ① 광전물질의 일함수
  2. ② 광자의 충돌 에너지
  3. ③ 광전물질의 열에너지
  4. ④ 광전물질 내부의 전자 에너지
정답 확인

정답 ①

68번
반도체의 자유전자는 전도대에 있고, 결합전자는 가전자대 에 있을 경우 틀리게 설명한 것은?
  1. ① 정공은 가전자대에만 있다.
  2. ② 정공은 주로 전도대에 있다.
  3. ③ 가전자대는 거의 충만 되어 있다.
  4. ④ 전도대로 전이된 전자는 가전자대에 정공을 만든다.
정답 확인

정답 ②

69번
27[℃]인 금속 도체에서 페르미 준위보다 0.1eV 상위 및 하위에서 전자가 점유하는 확률은? (단, 볼츠만의 상수(k) 는 1.38×10-23 [J/K]이다.)
  1. ① 상위 : 0.01, 하위 : 0.99
  2. ② 상위 : 0.02, 하위 : 0.98
  3. ③ 상위 : 0.09, 하위 : 0.91
  4. ④ 상위 : 0.10, 하위 : 0.90
정답 확인

정답 ②

70번
양자역학의 보어(Bohr) 원자 모형에서 전자의 운동 방경으 로 옳은 것은? (단, 주양자수는 n이다.)
  1. ① n2에 비례한다.
  2. ② n에 비례한다.
  3. ③ 1/n2 에 비례한다.
  4. ④ 1/n 에 비례한다.
정답 확인

정답 ②

71번
서미스터(Thermistor) 소자에 관한 설명 중 틀린 것은?
  1. ① 반도체로 만들어진다.
  2. ② 저항 온도계수가 항상 +(양)의 값이다.
  3. ③ 온도에 따라 저항의 값이 크게 변화한다.
  4. ④ 온도 자동제어의 검출부나 회로의 온도 특성보상 등에 사용된다.
정답 확인

정답 ②

72번
반도체에 관한 효과에 따른 용도가 틀리게 짝지어진 것은?
  1. ① 자기 효과 : 홀소자
  2. ② 제베크 효과 : 열전대
  3. ③ 펠티에 효과 : 전자냉각
  4. ④ 외부 광전 효과 : 광전도 셀
정답 확인

정답 ④

73번
열평형상태에 있는 반도체에서 가전자대 정공농도(po)와 전도대 전자농도(no)를 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① 온도 및 불순물 밀도의 함수이다.
  2. ② 온도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
  3. ③ 불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
  4. ④ 불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.
정답 확인

정답 ②

74번
MOSFET에 대한 설명 중 틀린 것은?
  1. ① 입력 임피던스가 크다.
  2. ② 저잡음 특성을 쉽게 얻을 수 있다.
  3. ③ 제작이 간편하고, IC화하기에 적합하다.
  4. ④ 사용주파수 범위가 쌍극성 트랜지스터보다 높다.
정답 확인

정답 ④

75번
진성 반도체에 있어서 전도대의 전자밀도(n)는 에너지 갭 (Eg)의 크기에 따라 변한다. 다음 전자밀도와 에너지 갭의 관계를 바르게 설명한 것은?
  1. ① n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.
  2. ② n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.
  3. ③ n은 Eg에 반비례한다.
  4. ④ n은 Eg에 비례한다.
정답 확인

정답 ②

76번
접합 트랜지스터의 직류전류증폭률(hFE)에 관한 설명 중 틀 린 것은?
  1. ① hFE는 이미터 도핑(doping)에 비례한다.
  2. ② hFE는 베이스 폭에 비례한다.
  3. ③ hFE는 베이스 도핑(doping)에 비례한다.
  4. ④ hFE는 컬렉터 전류의 변화가 큰 경우 증가한다.
정답 확인

정답 ②

77번
전계에 의하여 일함수가 작아져 열전자 방출이 쉬워지는 효과는?
  1. ① 쇼트키(Schottky) 효과
  2. ② 펠티에(Peltier) 효과
  3. ③ 제벡(Seebeck) 효과
  4. ④ 홀(Hall) 효과
정답 확인

정답 ①

78번
진공 속의 알루미늄(Al) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 필요한 최소에너지는 얼마인가? (단, 알루미늄의 일함수는 4.08eV이다.)
  1. ① 2.55×10-19[J]
  2. ② 4.08[J]
  3. ③ 6.53×10-19[J]
  4. ④ 2.70×10-33[J]
정답 확인

정답 ③

79번
pn 접합에 관한 설명으로 가장 적합한 것은?
  1. ① p형 반도체와 n형 반도체를 접촉하여 만든 것이다.
  2. ② 한 개의 단 결정에 억셉터와 도너 불순물을 혼합하여 만든 것이다.
  3. ③ 단결정 반도체 내에서 도너 불순물이 많은 영역과 억셉 터 불순물이 많은 영역이 접합되어 있는 것이다.
  4. ④ 별개의 단결정체에 억셉터 불순물과 도너 불순물을 도 핑하여 만든 것을 접촉한 것이다.
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정답 ③

80번
가전자대의 전자밀도가 1025[m-3 ]인 금속에 전류밀도가 107[A/m2 ]인 전류가 흐르면, 이때의 드리프트 속도는 몇 m/s 인가?
  1. ① 0.31
  2. ② 6.25
  3. ③ 31.00
  4. ④ 62.50
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정답 ②

81번
MSB에 대한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① 맨 왼쪽 비트(최상위 비트)
  2. ② 맨 오른쪽 비트(최하위 비트)
  3. ③ 2진수의 보수
  4. ④ 8진수의 보수
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정답 ①

82번
다음 순서도 기호의 기능은?
전자기사 2018년 3회 82번 문제 그림
  1. ① 처리
  2. ② 시작과 끝
  3. ③ 반복
  4. ④ 비교·판단
정답 확인

정답 ④

83번
캐시메모리의 적중(Hit)률이 0.9, 캐시메모리 접근시간이 50ns, 주기억장치 접근시간이 400ns일 때, 평균 기억장치 접근시간은 얼마인가? (단, 캐시 적중여부 판별에 소요되 는 시간은 무시한다.)
  1. ① 120ns
  2. ② 85ns
  3. ③ 67.5ns
  4. ④ 53.5ns
정답 확인

정답 ②

84번
n개의 비트(bit)로 정수를 표시할 때 2의 보수 표현법에 의 한 범위를 옳게 나타낸 것은?
  1. ① -2n ~ 2n-1
  2. ② -2n-1 ~ 2n-1
  3. ③ -2n-1 ~ (2n-1-1)
  4. ④ -(2n-1-1) ~ (2n-1-1)
정답 확인

정답 ③

85번
2진수의 부동소수점(floating point) 표현에 대한 설명으로 틀린 것은?
  1. ① 고정소수점(fixed point) 표현 방식보다 수를 표현할 수 있는 범위가 넓다.
  2. ② 지수(exponent)를 사용하여 소수점의 범위를 넓게 이동 시킬 수 있다.
  3. ③ 소수점 이하의 수를 나타내는 가수(mantissa)의 비트수 가 늘어나면 정밀도가 증가한다.
  4. ④ IEEE 754 부동소수점 표준 중 64비트 복수 정밀도 형 식은 32비트 지수를 가진다.
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정답 ④

86번
1비트의 전가산기는 3개의 입력 A, B, Ci 와 2개의 출력 Sum, Cout로 구성된다. A=0, B=1, Ci=0일 때 출력의 값 은?
  1. ① Sum=0, Cout=0
  2. ② Sum=0, Cout=1
  3. ③ Sum=1, Cout=0
  4. ④ Sum=1, Cout=1
정답 확인

정답 ③

87번
한번 메모리를 액세스(access)하면 그것이 목적 데이터의 번지이기 때문에 2회 이상의 메모리 액세스(access)가 필 요한 주소지정방식은?
  1. ① 간접 주소지정방식
  2. ② 직접 주소지정방식
  3. ③ 상대 주소지정방식
  4. ④ 인덱스 주소지정방식
정답 확인

정답 ①

88번
목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?
  1. ① compiler
  2. ② assembler
  3. ③ interpreter
  4. ④ micro-assembler
정답 확인

정답 ③

89번
push와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 storage device는?
  1. ① MBR
  2. ② queue
  3. ③ stack
  4. ④ cache
정답 확인

정답 ③

90번
JK 플립플롭에서 J=1, K=0으로 입력될 때 Q(t+1) 상태는?
  1. ① 먼저 내용에 대한 complement로 된다.
  2. ② 먼저 내용이 그대로 남는다.
  3. ③ 1로 변한다.
  4. ④ 0으로 변한다.
정답 확인

정답 ③

91번
프로그램 카운터가 명령의 주소 부분과 더해져서 유효 주 소가 결정되는 주소지정 방식은?
  1. ① 절대주소지정방식
  2. ② 직접주소지정방식
  3. ③ 상대주소지정방식
  4. ④ 간접주소지정방식
정답 확인

정답 ③

92번
다음 주소 지정 방식 중 데이터 처리가 가장 신속한 것은?
  1. ① 자료가 기억된 장소에 직접 혹은 간접으로 사상시킬 수 있는 주소가 기억된 장소에 사상시키는 주소
  2. ② 주소에 상수 또는 레지스터에 기억된 주소의 일부분을 계산 또는 접속시켜서 사상시키는 주소
  3. ③ 명령어 내에 가지고 있는 데이터를 계산한 자료자신에 대하여 사상시키는 주소
  4. ④ 자료가 기억된 장소에 직접 사상시킬 수 있는 주소
정답 확인

정답 ③

93번
다음과 같은 명령이 순서적으로 주어졌을 때 결과 값은?
전자기사 2018년 3회 93번 문제 그림
  1. ① 6
  2. ② 5
  3. ③ 4
  4. ④ 2
정답 확인

정답 ③

94번
다음 중 명령어의 주소 지정방식이 아닌 것은?
  1. ① 즉치(immediate) 주소지정
  2. ② 오퍼랜드 주소지정
  3. ③ 레지스터 주소지정
  4. ④ 인덱스 주소지정
정답 확인

정답 ②

95번
기본적인 마이크로프로세서(microprocessor)의 내부 구성 요소가 아닌 것은?
  1. ① 연산부(ALU)
  2. ② 제어부(control unit)
  3. ③ 주소 버스(address bus)
  4. ④ 레지스터부(registers)
정답 확인

정답 ③

96번
LCD 방식을 이용하나 박막 트랜지스터를 사용하여 전압을 일정하게 유지해서 안정되고 정교한 화소(pixel)를 구현함 으로서 화면이 깨끗하고, 측면에서도 비교적 잘 보이는 장 점 때문에 노트북 모니터로 많이 사용되는 것은?
  1. ① 플라즈마(Plasma)
  2. ② CRT(Cathode Ray Tube)
  3. ③ TFT(Thin Film Transistor)
  4. ④ HGC(Hercules Graphic Card)
정답 확인

정답 ③

97번
T형 플립플롭을 사용하여 5단 계수기를 만들면 몇 개의 펄스까지 계수할 수 있는가?
  1. ① 5개
  2. ② 16개
  3. ③ 32개
  4. ④ 64개
정답 확인

정답 ③

98번
범용 또는 특수 목적의 소프트웨어를 조합하거나 조직적으 로 구성하고, 여러 가지 종류의 원시 프로그램, 목적 프로 그램들을 분류하여 정비한 것은?
  1. ① Problem State
  2. ② PSW(Program Status Word)
  3. ③ Interrupt
  4. ④ Program library
정답 확인

정답 ④

99번
어셈블리 언어(Assembly language) 명령의 구성 요소와 가장 관계없는 것은?
  1. ① label
  2. ② mnemonic
  3. ③ operand
  4. ④ procedure
정답 확인

정답 ④

100번
4비트 데이터를 1의 보수로 표현할 수 있는 수의 범위 는?
  1. ① -7 ~ +7
  2. ② -8 ~ +7
  3. ③ -7 ~ +8
  4. ④ -8 ~ +8 종이 문제집이 아닌 인터넷으로 문제를 풀고 자동으로 채점하며 모의고사, 오답 노트, 해설까지 제공하는 무료 기출문제 학습 프 로그램으로 실제 시험에서 사용하는 OMR 형식의 CBT를 제공합 니다. PC 버전 및 모바일 버전 완벽 연동 교사용/학생용 관리기능도 제공합니다. 에서 확인하세요.
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정답 ①

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