그림과 같은 히스테리시스 루프를 가진 철심이 강한 평등자 계에 의해 매초 60Hz로 자화할 경우 히스테리스 손실은 몇 W 인가? (단, 철심의 체적은 20cm3, Br=5Wb/m2, Hc=2AT/m 이다.)
① 1.2×10-2
② 2.4×10-2
③ 3.6×10-2
④ 4.8×10-2
정답 확인
정답 ④
2번
유전율 ε=8.855×10<sup>-12</sup>-(F/m)인 진공 중을 전 자파가 전파할 때 진공 중의 투자율(H/m)은?
① 7.58×10-5
② 7.58×10-7
③ 12.56×10-5
④ 12.56×10-7
정답 확인
정답 ④
4번
철심이 든 환상 솔레노이드의 권수는 500회, 평균 반지름은 10cm, 철심의 단면적은 10cm2, 비투자율은 4000이다. 이 환 상 솔레노이드에 2A의 전류를 흘릴 때 철심 내의 자속(Wb) 은?
① 4×10-3
② 4×10-4
③ 8×10-3
④ 8×10-4
정답 확인
정답 ③
8번
어떤 공간의 비유전율은 2이고, 전위 이라고 할 때 점 (1/2, 2)에서의 전하밀도 ρ는 약 몇 pC/m3 인가?
① -20
② -40
③ -160
④ -320
정답 확인
정답 ④
12번
내부도체 반지름이 10mm, 외부도체의 내반지름이 20mm인 동축케이블에서 내부도체 표면에 전류 I가 흐르고, 얇은 외 부도체에 반대방향인 전류가 흐를 때 단위 길이당 외부 인 덕턴스는 약 몇 H/m 인가?
① 0.28×10-7
② 1.39×10-7
③ 2.03×10-7
④ 2.78×10-7
정답 확인
정답 ②
14번
그림과 같이 직각 코일이 인 자계에 위치하고 있다. 코일에 5A 전류가 흐를 때 z축에서 의 토크는 약 몇 N・m 인가?
① 2.66 × 10-4ax
② 5.66 × 10-4ax
③ 2.66 × 10-4az
④ 5.66 × 10-4az
정답 확인
정답 ④
15번
무한 평면에 일정한 전류가 표면에 한 방향으로 흐르고 있 다. 평면으로부터 r만큼 떨어진 점과 2r만큼 떨어진 점과의 자계의 비는 얼마인가?
① 1
② √2
③ 2
④ 4
정답 확인
정답 ①
16번
막대자석 위쪽에 동축도체 원판을 놓고 회로의 한 끝은 원 판의 주변에 접촉시켜 회전하도록 해놓은 그림과 같은 패러 데이 원판 실험을 할 때 검류계에 전류가 흐르지 않는 경우 는?
① 자석만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
② 원판만을 일정한 방향으로 회전시킬 때
③ 자석을 축 방향으로 전진시킨 후 후퇴시킬 때
④ 원판과 자석을 동시에 같은 방향, 같은 속도로 회전시킬 때
정답 확인
정답 ④
18번
자기회로에서 자기저항의 관계로 옳은 것은?
① 자기회로의 길이에 비례
② 자기회로의 단면적에 비례
③ 자성체의 비투자율에 비례
④ 자성체의 비투자율의 제곱에 비례
정답 확인
정답 ①
19번
그림과 같은 정방형관 단면의 격자점 ⑥의 전위를 반복법으 로 구하면 약 몇 V 인가?
① 6.3
② 9.4
③ 18.8
④ 53.2
정답 확인
정답 ②
21번
△결선된 부하를 Y결선으로 바꾸면 소비전력은 어떻게 되는 가? (단, 선간 전압은 일정하다.)
① 9배로 증가한다.
② 0.1배로 줄어든다.
③ 3배로 증가한다.
④ 0.3배로 줄어든다.
정답 확인
정답 ④
22번
그림과 같은 회로에서 영상 임피던스 Z01, Z02의 값은 약 몇 Ω 인가?
① Z01 = 8, Z02 = 4.96
② Z01 = 8, Z02 = 9.92
③ Z01 = 16, Z02 = 4.96
④ Z01 = 16, Z02 = 9.92
정답 확인
정답 ④
25번
자계 코일에 권수(N)는 1000회, 저항(R)은 6Ω에서 전류(I) 가 10A로 통과하였을 경우 자속 ø=6×10-2 Wb이다. 이 회 로의 시정수는 몇 초(sec) 인가?
① 1
② 2
③ 10
④ 12
정답 확인
정답 ①
27번
R=80Ω, XL=60Ω인 R-L 병렬회로에 v=220∠45°V의 전압을 가했을 때 코일 L에 흐르는 전류는 몇 A 인가?
① 3.67∠45°
② 5.75∠90°
③ 3.67∠-45°
④ 5.75∠-90°
정답 확인
정답 ③
29번
이상 변압기의 1차측 권선수:2차측 권선수가 1:2 일 때 부 하 저항은 50Ω이다. 입력에서 본 등가 임피던스는 몇 Ω 인 가?
① 50
② 25
③ 12.5
④ 6.25
정답 확인
정답 ③
30번
그림과 같은 이상 변압기에서 Ri=300Ω, RL=75Ω일 때, 권선 비 n1:n2는 얼마인가?
① 1:2
② 1:4
③ 2:1
④ 4:1
정답 확인
정답 ③
31번
R-L-C 병렬회로가 공진 주파수보다 작은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는 어떤 회로로 동작하는가?
① 유도성 회로
② 용량성 회로
③ 저항성 회로
④ 탱크 회로
정답 확인
정답 ①
32번
직류 전압원에 저항을 접속하고 전류를 흐를 때 이 전류 값 을 30% 증가시키기 위해서는 저항값은 어떻게 하여야 하는 가?
① 2배로 증가시킨다.
② 1.2배로 증가시킨다.
③ 저항값을 그대로 유지시킨다.
④ 0.77배로 감소시킨다.
정답 확인
정답 ④
33번
그림과 같은 회로에서 정상 전류(i)는 얼마인가? (단, Vdc = 20, R = 20Ω, L = 0.2H 이다.)
① i=2A
② i=4A
③ i=1A
④ i=6A
정답 확인
정답 ③
34번
RLC 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ω r공진 각 주파수이다.)
① ωrC/R
② ωrL/R
③ ωr/R
④ ωrR/L
정답 확인
정답 ②
35번
다음 함수에 관한 설명 중 틀린 것은? (단, T는 주기이다.)
① f(t)=f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우 함수이다.
② f(t)=-f(-t)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 기 함수이다.
③ f(t)=-f(t+T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 반파대칭인 주기파이다.
④ f(t)=f(t±T/2)의 관계가 모든 t에 대해서 성립하면 f(t)는 우함수이다.
정답 확인
정답 ④
36번
저항(R) 8Ω과 정전용량(C) 500μF을 직렬로 연결하고 교류 전압 v=200√2sin120πt[V]을 인가하였다. 이때 이 회로의 전압과 전류의 위상차는 약 몇 도(°) 인가?
① 27°
② 34°
③ 56°
④ 60°
정답 확인
정답 ②
37번
그림과 같은 회로가 정저항 회로가 되기 위한 C값은 몇 F 인가? (단, R=1Ω, L=200mH 이다.)
① 0.1
② 0.2
③ 1
④ 2
정답 확인
정답 ②
38번
다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속접속으로 이루 어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?
① A = 7
② B = 48
③ C = 6
④ D = 7
정답 확인
정답 ③
39번
원점을 지나지 않는 무한 직선의 궤적을 그리는 벡터의 역 궤적은 어떻게 되는가?
① 원점을 지나는 직선이 된다.
② 원점을 지나는 원이 된다.
③ 원점을 지나지 않는 직선이 된다.
④ 원점을 지나지 않는 원이 된다.
정답 확인
정답 ②
40번
그림에서 a-b간에 25V의 전압을 가할 때 5A의 전류가 흐른 다. r1 및 r2에 흐르는 전류비를 1:3으로 하려면 r1 및 r2의 저항은 몇 Ω 인가?
① r1=12, r2=4
② r1=24, r2=8
③ r1=6, r2=2
④ r1=2, r2=6
정답 확인
정답 ①
41번
무귀환 시 전압이득이 30 이고, 고역 차단 주파수가 20kHz 인 증폭기에 귀환을 걸어 전압이득이 20으로 되었다면 이때 의 차단주파수는 몇 kHz 인가?
① 10
② 20
③ 30
④ 40
정답 확인
정답 ③
42번
이상적인 연산 증폭기에 대한 설명 중 틀린것은?
① 출력의 일부를 반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 감 소시키는 것을 부귀환이라 한다.
② 출력의 일부를 비반전 입력으로 되돌려서 출력 전압을 증가시키는 것을 정귀환이라 한다.
③ 개별소자 증폭기로는 이루기 힘든 이상적인 증폭기에 가 까운 조건을 갖추도록 다수의 개별소자들의 직접화로 이 루어진 증폭기이다.
④ 매우 낮은 입력 임피던스와 매우 높은 출력 임피던스를 가지도록 설계가 되었다.
정답 확인
정답 ④
44번
고주파 증폭회로의 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
① 트랜지스터의 베이스 폭이 얇을수록 고주파 증폭에 적합 하다.
② 컬렉터 용량의 영향으로 입력 임피던스는 감소한다.
③ 컬렉터 용량의 영향으로 출력이 귀환된다.
④ 컬렉터 용량이 클수록 고주파 특성이 좋다.
정답 확인
정답 ④
45번
입력 주파수 192Hz를 T형 플립플롭 3개에 종속 접속하면 출력 주파수는 몇 Hz 인가?
① 586
② 64
③ 48
④ 24
정답 확인
정답 ④
46번
전력 증폭기 회로의 직류공급 전압이 12 V, 전류가 400 mA 이고, 능률이 60%일 때 부하에서 출력전력은 몇 W 인가?
① 0.8
② 1.44
③ 2.88
④ 4.9
정답 확인
정답 ③
47번
그림의 비안정 멀티바이브레이터에서 R1 = R2 = R, C1 = C2 = C라고 하면 발진주파수는 대략 어떻게 표시되는가?
① 0.7/RC
② 0.5/RC
③ 0.7/RLC
④ 0.5/RLC
정답 확인
정답 ①
48번
mod-8 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플 롭의 수는?
① 2개
② 4개
③ 8개
④ 16개
정답 확인
정답 ②
49번
부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 2진 코드로 변환하는 조합 논리회로를 무엇이라 하는가?
① 인코더
② 디코더
③ 플립플롭
④ 멀티플렉서
정답 확인
정답 ①
50번
JFET에서 IDSS = 12mA, VP = -4V 이고, VGS = -2V일 때 드레인 전류 ID는 몇 mA 인가?
① 1.5
② 2.7
③ 3
④ 5
정답 확인
정답 ③
51번
트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 1.2 μA 에서 239.2 μA로 증가되었을 때, 컬렉터의 전류가 1mA라면 안정도 계수 S는? (단, 소수점 둘째자리에서 반올림한다.)
① 1.2
② 2.2
③ 4.2
④ 6.3
정답 확인
정답 ③
52번
FM 통신방식과 AM 통신방식을 비교했을 때, FM 통신방식 에서 잡음 개선에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
① 변조지수와 잡음 개선과는 관계없다.
② 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 커진다.
③ 변조지수가 클수록 잡음 개선율이 적어진다.
④ 신호파의 크기가 작을수록 잡음 개선율이 커진다.
정답 확인
정답 ②
53번
귀환이 없는 경우의 전압이득이 40dB 인 증폭기에 귀환율 (β)이 0.09의 부귀환을 걸면 증폭기의 전압이득은 몇 dB 인 가?
① 10
② 20
③ 30
④ 40
정답 확인
정답 ②
55번
발진 회로의 발진의 조건으로 옳은 것은?
① 귀환 루프의 위상 천이가 0° 이다.
② 귀환 루프의 위상 천이가 180° 이다.
③ 귀환 루프의 이득이 0 이다.
④ 귀환 루프의 이득이 1/2이다.
정답 확인
정답 ①
56번
전압이득이 60dB, 왜율이 10%인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1%로 개선하기 위해서는 귀환율(β)을 얼마로 하여야 하는 가?
① 0.9
② 0.1
③ 0.099
④ 0.011
정답 확인
정답 ③
57번
변압기가 결합한 A급 증폭기에서 1차:2차(12:1) 변압기가 16Ω 부하저항에 연결되어 있을 때 1차 측에서 보는 실효저 항(R1)은 약 몇 kΩ 인가?
① 1.8
② 2.1
③ 2.3
④ 2.5
정답 확인
정답 ③
58번
연산 증폭기의 종류에 대한 설명 중 틀린 것은?
① 반전 증폭기는 비반전 입력단은 접지로 하고 반전 입력 단에 신호원을 입력시킨다.
② 단위 이득 증폭기는 비반전 입력단은 출력과 단락시키고 반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
③ 비반전 증폭기는 반전 입력단은 저항을 이용하여 접지로 하고 비반전 입력단에 신호원을 입력시킨다.
④ 적분기는 반전 증폭회로에서 귀환 소자인 저항 대신에 커패시터를 사용한 것이다.
정답 확인
정답 ②
60번
다음 555 회로에서 출력주파수는 몇 kHz 인가?
① 5.64
② 6.64
③ 4.64
④ 7.64
정답 확인
정답 ①
61번
전자 방출에 관한 설명으로 틀린 것은?
① 금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부 로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
② 금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
③ 금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현 상을 2차 전자 방출이라 한다.
④ 금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출 량보다 전자 방출이 증가하는 현상을 chottky 효과라 한 다.
정답 확인
정답 ③
62번
공간전하영역이 반도체 내에만 존재하고, 금속 내에서 존재 하지 않는 이유는?
① 반도체내의 전하밀도가 매우 크기 때문
② 공간전하를 유지하는 힘이 반도체가 금속에 비해서 매우 크기 때문
③ 금속내의 전하밀도가 매우 작기 때문
④ 공간전하를 유지하는 힘이 금속이 반도체에 비해서 매우 크기 때문
정답 확인
정답 ②
63번
실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?
① 동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
② 일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
③ SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상 태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
④ 무접점 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.
정답 확인
정답 ③
64번
바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?
① 걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제 한할 수 있다.
② 걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.
③ 걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수 한다.
④ 걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전류를 흡수 한다.
정답 확인
정답 ④
65번
전계의 세기 E = 106[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자의 가속도는? (단, 전자의 질량은 9.11×10-31[kg] 이고, 전하 량은 1.602×10-19[C] 이다.)
① 1.75×1017[m/s2]
② 1.95×1016[m/s2]
③ 2.05×1016[m/s2]
④ 2.35×1014[m/s2]
정답 확인
정답 ①
66번
pn 접합부의 특성으로 틀린 것은?
① 접합부에는 전압이 생긴다.
② 접합 저항은 외부전압에 따라 변한다.
③ 접합 저항은 전류에 반비례한다.
④ 접합 전압은 온도와 무관하다.
정답 확인
정답 ④
67번
트랜지스터에서 컬렉터의 역방향 바이어스를 계속 증대시키 면 컬렉터 접합의 공핍층이 이미터 접합의 공핍층과 닿게 되어 베이스 중성영역이 없어지는 현상은?
① Early
② Tunnel
③ Drift
④ Punch-Through
정답 확인
정답 ④
68번
300 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있 을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?
① 0.02
② 0.08
③ 0.2
④ 0.8
정답 확인
정답 ①
69번
물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?
① 열을 가한다.
② 빛을 가한다.
③ 전계를 가한다.
④ 압축을 한다.
정답 확인
정답 ④
70번
진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?
① 도너 준위에 접근한다.
② 금지대 중앙에 위치한다.
③ 전도대 쪽으로 접근한다.
④ 가전자대 쪽으로 접근한다.
정답 확인
정답 ②
71번
반도체에 관한 설명 중 잘못된 것은?
① 결정구조의 결함은 이동도를 감소시킨다.
② 직접 재결합률은 정공밀도와 전자밀도의 곱에 비례한다.
③ 캐리어의 확산 길이는 이동도와 수명시간에 따라 변한 다.
④ p형 반도체의 억셉터(acceptor) 원자는 상온에서 정(+) 으로 이온화된다.
정답 확인
정답 ④
72번
실리콘(Si) PN 접합다이오드에서의 컷인 전압(cut-in voltage)은 약 얼마인가?
① 0 V
② 0.7 V
③ 7 V
④ 70 V
정답 확인
정답 ②
73번
3[cm] 떨어진 두 평면 전극으로 구성된 2극관에 3kV의 전 압을 걸었을 때, 강전계로 인해 음극의 일함수가 낮아질 경 우, 감소된 일함수의 양은? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C], 진공에서의 유전율 ε0=8.85×10-12[F/m] 이다.)
① 0.12eV
② 0.012eV
③ 0.24eV
④ 0.024eV
정답 확인
정답 ②
74번
금속의 일함수에 관한 설명으로 옳은 것은?
① 표면 전위장벽 EB와 Fermi 준위 EF와의 차이에 해당하 는 에너지이다.
② 금속에서의 열전자 방출에 관한 전류와 온도와의 관계식 이다.
③ 전자의 구속 에너지와 같다.
④ 최소한도의 전자류 방출에 필요한 금속의 양이다.
정답 확인
정답 ①
75번
Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명 으로 틀린 것은?
① 최고허용온도가 높다.
② 차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
③ 역방향전류와 잡음지수가 크다.
④ 고주파 고출력 특성이 좋다.
정답 확인
정답 ③
76번
Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?
① Fermi-Dirac
② Bose-Einstein
③ Gauss-error function
④ Maxwell-Boltzmann
정답 확인
정답 ①
77번
선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?
① 포화영역 부근에 설정한다.
② 차단영역 부근에 설정한다.
③ 포화영역 이상에 설정한다.
④ 차단영역과 포화영역 중간 지점에 설정한다.
정답 확인
정답 ④
78번
SCR의 Gate 단자로부터 트리거 신호를 인가하여 SCR을 ON 시키는데 필요한 최소한의 양극전류를 무엇이라 하는 가?
① Holding Current
② Latching Current
③ Trigger Current
④ Induction Current
정답 확인
정답 ②
79번
2×105[m/s]의 속도로 운동하고 있는 수소원자의 de Broglie 파장[m]은 얼마인가? (단, 수소의 질량은 1.7×10-27[kg]이고, 플랑크 상수는 6.63×10-34[J・s]이다.)
① 1.46×10-34
② 2.23×10-8
③ 5.53×10-5
④ 1.95×10-12
정답 확인
정답 ④
80번
다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?
① 인듐(In)
② 안티몬(Sb)
③ 붕소(B)
④ 알루미늄(Al)
정답 확인
정답 ②
81번
부동 소수점(Floating point number) 표현 방식으로 틀린 것은?
① 부호가 양수이면 0, 음수이면 1로 표시한다.
② 지수부에는 지수를 2진수로 나타낸다.
③ 부호, 지수부, 소수부의 3개의 필드로 구성되어 있다.
④ 32비트에서 부동 소수점 수를 표현할 때 부호는 2비트를 사용한다.
정답 확인
정답 ④
82번
논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
① OR
② AND
③ EX-OR
④ NOT
정답 확인
정답 ②
83번
다음 논리 함수를 간소화 한 결과는?
① X
② XY
③ X+Y
④ Y
정답 확인
정답 ①
84번
데이터의 순환적 구조와 관계가 깊은 리스트는?
① 단순 연결 리스트(singly linked list)
② 이중 연결 리스트(doubly linked list)
③ 다중 연결 리스트(multi linked list)
④ 환형 연결 리스트(circular linked list)
정답 확인
정답 ④
85번
0-주소 명령어 형식이 사용될 수 있는 CPU 구조로 가장 옳 은 것은?
① 단일 누산기 구조
② 이중 누산기 구조
③ 범용 레지스터 구조
④ 스택 구조
정답 확인
정답 ④
87번
컴퓨터의 워드(word) 길이에 대한 설명으로 틀린것은?
① 일반적으로 더욱 많은 명령어를 제공할 수 있다.
② 일반적으로 워드 길이가 길면 컴퓨터 성능이 좋아진다.
③ 일반적으로 워드 길이가 길면 처리 속도가 떨어진다.
④ 주소를 지정할 수 있는 수의 범위가 크므로 큰 기억용량 이 필요하다.
정답 확인
정답 ③
88번
전자계산기의 주요 장치에 대한 설명으로 틀린것은?
① 연산 장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
② 보조기억 장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억 시킨다.
③ 제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
④ 입출력 장치 : 필요한 정보의 입출력을 담당하는 장치이 다.
정답 확인
정답 ②
89번
프로그램 카운터가 없는 컴퓨터에서 op code는 3비트이고 메모리는 4096워드(word)일 때 하나의 명령이 한 워드에 저장된다면 워드 당 몇 비트인가? (단, 이 컴퓨터의 명령어 는 op code, operand, 어드레스로 구성되어 있다.)
① 12비트
② 15비트
③ 27비트
④ 30비트
정답 확인
정답 ③
90번
부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회 로는?
① 인코더
② 디코더
③ 디멀티플렉서
④ 멀티플렉서
정답 확인
정답 ②
91번
컴퓨터구조와 관련한 다음 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
① CAE(computer aided engineering)는 집적회로를 이용하 여 프로그램을 개발하는 것이다.
② 폰노이만 구조의 컴퓨터는 프로그램제어 유니트, 산술논 리연산장치, 주기억장치, 입출력 장치로 구성된다.
③ CPU는 내부 명령어 구성에 따라 CISC 구조와 RISC 구 조로 구분한다.
④ 컴퓨터에 사용하는 소자는 트랜지스터 → 소규모 집적회 로 → 대규모 집적회로 → 초대규모 집적회로로 발달하 였다.
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정답 ①
92번
간접 주소(Indirect Addressing) 방식을 설명한 것은?
① 명령어내의 번지는 실제 데이터가 위치하고 있는 주소를 나타낸다.
② 프로그램 카운터가 명령어의 주소부분과 더해져서 유효 주소가 결정된다.
③ 명령어의 실제 주소를 나타내는 유효주소는 명령어의 주 소 필드가 가르키는 주소에 존재한다.
④ 인덱스값을 갖는 특별한 레지스터의 내용이 명령어의 주 소 부분과 더해져서 유효주소가 얻어진다.
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정답 ③
93번
C 언어에 대한 설명으로 옳은 것은?
① 함수 호출이 아닌 함수 본체의 시작과 끝은 각각 '('과 ')'로 표기한다.
② 대화형 언어로서 프로그램을 코딩용지 등에 작성해서 입 력해야 한다.
③ 한 줄에 여러 개의 명령문을 기술할 경우 명령문 사이에 세미콜론(;)을 사용해야 한다.
④ 프로그램은 반드시 END문으로 끝난다.
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정답 ③
94번
서브루틴과 연관되어 사용되는 명령으로 가장 옳은 것은?
① Shift와 Rotate
② Call과 Return
③ Skip과 Jump
④ Increment와 Decrement
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정답 ②
95번
다음 C 프로그램을 수행하였을 때 결과 값은?
① 12
② 10
③ 1
④ 0
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정답 ①
96번
피연산자의 기억 장소에 따른 명령어 형식의 분류에 속하지 않는 것은?
① 스택 명령어 형식
② 레지스터-레지스터 명령어 형식
③ 레지스터-메모리 명령어 형식
④ 스택-메모리 명령어 형식
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정답 ④
97번
DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
① 자료 전송 시 CPU의 register를 직접 사용한다.
② 빠른 속도로 자료들을 입출력할 때 사용하는 방식이다.
③ DMA는 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송한 다.
④ DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 cycle stealing을 행한다.
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정답 ①
98번
언어를 번역하는 번역기가 아닌 것은?
① assembler
② interpreter
③ compiler
④ linkage editor
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정답 ④
99번
C 언어 프로그램에서 abs(3.562)의 함수 값은?
① -3
② -4
③ 3
④ 4
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정답 ③
100번
직렬 덧셈 회로에 꼭 필요한 것은?
① Shift Register
② Buffer Memory
③ Operand
④ Cache Memory 종이 문제집이 아닌 인터넷으로 문제를 풀고 자동으로 채점하며 모의고사, 오답 노트, 해설까지 제공하는 무료 기출문제 학습 프로그램으로 실제 시험에서 사용하는 OMR 형식의 CBT를 제공합니다. PC 버전 및 모바일 버전 완벽 연동 교사용/학생용 관리기능도 제공합니다. 최신 수정된(오타, 오답, 규정변경) 자료와 해설은