정전용량 20μF인 공기 평행판 축전기에 0.01C의 전하량을 충전했을 때, 두 평행판 사이에 비유전율 10인 유전체를 채 우면 유전체 표면에 발생하는 분극 전하량(C)의 크기는?
① 0.009
② 0.01
③ 0.09
④ 0.1
정답 확인
정답 ①
13번
그림과 같은 모양의 자화곡선을 나타내는 자성체 막대를 충 분히 강한 평등자계에서 매분 3000회 회전시킬 때 자성체는 단위체적당 매초 약 몇 kcal의 열이 발생하는가? (단, Br=2Wb/m2, HL=500AT/m, B=μH에서 μ는 일정하지 않음)
① 11.7
② 47.6
③ 70.2
④ 200
정답 확인
정답 ②
15번
공기 중에 한 변이 40cm인 정사각형 평행평판 콘덴서가 있 다. 극판의 간격을 4mm로 하고 극판간에 100V의 전위차를 주면 축적되는 전하량은 약 몇 C인가?
① 3.54×10-8
② 3.54×10-9
③ 6.56×10-9
④ 6.56×10-8
정답 확인
정답 ①
16번
전자파의 기본 성질이 아닌 것은?
① 횡파이다.
② 반사, 굴절 현상이 나타난다.
③ 완전도체 표면에서는 전부 흡수한다.
④ 전계의 방향과 자계의 방향은 서로 수직이다.
정답 확인
정답 ③
17번
단면적 4cm2의 철심에 6×10-4 Wb의 자속을 통하게 하려면 2800AT/m의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은 약 얼 마인가?
① 43
② 75
③ 324
④ 426
정답 확인
정답 ④
18번
단위 길이당 정전용량 및 인덕턴스가 각각 0.2μF/m, 0.5mH/m인 전송선의 특성 임피던스는 몇 Ω인가?
① 50
② 75
③ 125
④ 250
정답 확인
정답 ①
20번
다음의 전위함수에서 라플라스 방정식을 만족하지 않는 것 은?
① V=rcosθ+ø
② V=x2-y2+z2
③ V=ρcosθ+z
정답 확인
정답 ④
21번
다음 설명이 의미하는 것은?
① 역회로
② 정저항 회로
③ L-C회로
④ 카워형 회로
정답 확인
정답 ②
22번
다음과 같은 결합 공진회로에서 C1과 C2를 조정하여 두 폐 회로가 모두 공진 상태에 있을 때 결합계수를 변화시킨다면 i2가 최대로 되는 상태는?
① 밀결합될 때
② 소결합될 때
③ 임계결합될 때
④ 같은 방향으로 결합될 때
정답 확인
정답 ③
23번
구동점 임피던스에서 영점(zero)은?
① 전압이 가장 큰 상태이다.
② 회로를 개방한 상태이다.
③ 회로를 단락한 상태이다.
④ 전류가 흐르지 않는 상태이다.
정답 확인
정답 ③
25번
R-L 병렬회로에서 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ 에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1 과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2의 관계를 올바르게 나타낸 것은?
① θ < θ1 < θ2
② θ2 < θ1 < θ
③ θ2 < θ < θ1
④ θ1 < θ < θ2
정답 확인
정답 ③
27번
기함수 및 반파대칭인 비정현파에 포함된 고조파가 어느 파 에 속하는가?
① 제2고조파
② 제4고조파
③ 제5고조파
④ 제6고조파
정답 확인
정답 ③
28번
어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01초 사이에 일정하게 60A에 서 20A로 변할 때 20V의 기전력이 발생하면 자기 인덕턴스 는 몇 mH인가?
① 5
② 10
③ 20
④ 200
정답 확인
정답 ①
29번
그림과 같은 회로에서 스위치를 닫았을 때 과도분을 포함하 지 않기 위한 R은 몇 Ω인가?
① 100
② 200
③ 300
④ 1000
정답 확인
정답 ④
30번
회로에서 a, b단자에 흐르는 전류는 몇 A인가?
① 0.5
② 5
③ 0.1
④ 1
정답 확인
정답 ①
31번
R-L-C 직렬회로가 공진 주파수보다 높은 주파수 영역에서 동작할 때, 이 회로는?
① 공진 회로
② 용량성 회로
③ 저항성 회로
④ 유도성 회로
정답 확인
정답 ④
32번
ω=200rad/s에서 동작하는 두 개의 회로소자로 구성된 직렬 회로에서 전류가 전압보다 45° 앞설 때, 이 소자 중 하나가 5Ω 저항일 경우 나머지 소자와 그 값은?
① L, 0.1H
② L, 0.01H
③ C, 0.001F
④ C, 0.0001F
정답 확인
정답 ③
33번
다음 전달 함수에 관한 설명 중 옳은 것은?
① 부동작 시간 요소의 전달 함수는 이다.
② 비례 요소의 전달 함수는 이다.
③ 미분 요소의 전달 함수는 K이다.
④ 2차 지연 요소의 전달 함수는 이다.
정답 확인
정답 ①
34번
회로망 함수의 극점과 영점이 그림과 같을 때 f(t)는?
① f(t)=-α0t cos ωt
② f(t)=-α0t sin ωt
③ f(t)=α0t cos ωt
④ f(t)=tsin ωt
정답 확인
정답 ①
35번
공급 전압이 100V이고, 회로에 전류가 10A가 흐른다고 할 때, 이 회로의 유효전력은 몇 W인가? (단, 전압과 전류의 위상차는 30°이다.)
① 125√3
② 500
③ 500√3
④ 1000
정답 확인
정답 ③
37번
다음과 같은 Z파라미터로 표시되는 4단자망의 1-1´ 단자 간에 4A, 2-2´ 단자 간에 1A의 정전류원을 연결하였을 때, 1-1´ 단자 간의 전압(E1)과 2-2´ 단자 간의 전압 (E2)을 각 각 옳게 구한 것은? (단, Z파라미터 단위는 Ω이다.)
① E1=18V, E2=12V
② E1=36V, E2=24V
③ E1=42V, E2=-24V
④ E1=48V, E2=12V
정답 확인
정답 ②
38번
다음 결합 회로의 합성 인덕턴스는?
① Leg=L1+L2+M
② Leg=L1+L2+2M
③ Leg=L1+L2-M
④ Leg=L1+L2-2M
정답 확인
정답 ④
41번
그림의 회로에서 Vout은? (단, A=RC/2r′e, v2=0V이다.)
① v1
② Av1
③ v2
④ Av2
정답 확인
정답 ②
43번
다음 중 멀티바이브레이터에 대한 설명으로 틀린것은?
① 회로의 시정수로 출력파형의 주기가 결정된다.
② 쌍안정 멀티바이브레이터의 구성은 직류성분으로 결합되 어 있다.
③ 출력에 고차의 고조파를 포함한다.
④ 모든 멀티바이브레이터의 구성은 교류성분으로 결합되어 있다.
정답 확인
정답 ④
44번
8진수 (326)8을 10진수로 변환한 것은?
① 124
② 148
③ 168
④ 214
정답 확인
정답 ④
46번
수정발진기에 관한 설명 중 틀린 것은?
① 압전 효과를 이용하여 기계적인 진동으로 기전력을 얻는 다.
② RC 공진회로에 비해 주파수 안정도가 매우 높다.
③ 수정편의 절단(cut)하는 방법에 따라 전기적 온도 특성이 다르다.
④ 수정편이 같은 두께일 때 X컷(X cut)보다 Y컷(Y cut)의 발진주파수가 높다.
정답 확인
정답 ④
47번
다음과 같은 부귀환 증폭기의 출력 임피던스는 귀환이 없을 때에 비하여 어떻게 변하는가?
① 출력 임피던스가 감소한다.
② 출력 임피던스가 증가한다.
③ hie배가 된다.
④ 변화가 없다.
정답 확인
정답 ①
48번
다음 회로에서 콘덴서(C)의 역할은?
① 중화용
② 기생 진동 방지용
③ 상호 변조 방지용
④ 저주파 특성 개선용
정답 확인
정답 ④
51번
다음의 회로에서 A, B가 입력이고 C, D가 출력일 때 이 회 로의 명칭은?
① NOR로 구성된 D 플립플롭
② NOR로 구성된 RS 플립플롭
③ NAND로 구성된 D 플립플롭
④ NAND로 구성된 RS 플립플롭
정답 확인
정답 ④
52번
이상적인 연산증폭기의 특징에 관한 설명으로 틀린 것은?
① 입력 오프셋전압은 0이다.
② 오픈 루프 전압이득이 무한대이다.
③ 동상 신호 제거비(CMRR)가 0이다.
④ 입력 바이어스 전류가 0이다.
정답 확인
정답 ③
53번
100W용 실리콘 트랜지스터(25℃에서 정격)에서 사용온도가 25℃를 초과할 때 열저항이 0.5W/℃이다. 트랜지스터의 온 도가 100℃일 때의 최대허용 소모전력(PD)은?
① 75W
② 73.5W
③ 70W
④ 62.5W
정답 확인
정답 ④
54번
N-채널 JFET에서 드레인-소스 전압의 변화에 대해서 전류 가 일정한 영역에서 드레인 전류가 증가하는 경우는?
① 게이트-소스 바이어스 전압이 감소할 때
② 게이트-소스 바이어스 전압이 증가할 때
③ 게이트-드레인 바이어스 전압이 감소할 때
④ 게이트-드레인 바이어스 전압이 증가할 때
정답 확인
정답 ②
57번
기본적인 트랜지스터에서 스위치로서의 동작을 옳게 설명한 것은?
① 차단과 포화로 동작된다.
② 전압이득은 입력전압과 출력전압의 비이다.
③ Rc와 r´e는 전압이득을 결정한다.
④ 작은 신호를 큰 신호로 만드는 동작이다.
정답 확인
정답 ①
58번
저역 능동 필터 회로의 감쇠계수(DF, damping factor)에 영 향을 주는 것은?
① 연산증폭기 이득
② 부귀환 효과
③ 정귀환 효과
④ 필터의 대역폭
정답 확인
정답 ②
59번
비동기식 8진 업-카운터 회로에서 초기상태가 CBA=000이 다. 입력에 클럭 펄스가 14개 인가된 후의 CBA의 상태는 어떻게 되는가? (단, C는 MSB이고, 모든 플립플롭의 J=K=1이다.)
① CBA=111
② CBA=100
③ CBA=101
④ CBA=110
정답 확인
정답 ④
60번
12V 직류전압원에 저항(R)과 2개의 LED가 직렬로 연결된 회로에서 각 LED에 흐르는 전류가 100mA이상 되도록 하는 저항값은? (단, LED의 전압강하는 2.2V로 하시오.)
① 76Ω
② 86Ω
③ 100Ω
④ 120Ω
정답 확인
정답 ①
61번
에너지 분포함수가 “0”이라는 것은 무엇을 의미하는가?
① 입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 1이다.
② 에너지 상태가 비어 있다.
③ 입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 0.5이다.
④ 입자가 에너지 상태에 채워질 확률이 0.3이다.
정답 확인
정답 ②
62번
양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 베타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포함수는?
① Sommerfeld 분포 함수
② Fermi-Dirac 분포 함수
③ Bose-Einstein 분포 함수
④ Maxwell-Boltzmann 분포 함수
정답 확인
정답 ③
63번
초전도 현상에 관한 설명으로 옳은 것은?
① 물질의 격자 진동이 심하게 되어 파괴된다.
② 저항이 무한으로 커짐에 따라 전류가 흐르지 않는다.
③ 저온에서 격자진동이 저하하여 결국 저항이 0으로 된다.
④ 전자의 이동도 μ가 전계 강도 E의 평방근에 비례한다.
정답 확인
정답 ③
64번
트랜지스터의 출력 특성에는 바이어스(bias) 구성에 의한 4 가지 동작 영역이 있다. 증폭동작이 가능한 영역으로 옳은 것은?
① 포화(Saturation) 영역
② 활성(Active) 영역
③ 차단(Cut-off) 영역
④ 역할성(Inverted Active) 영역
정답 확인
정답 ②
65번
이동도(mobility)에 관한 설명으로 틀린 것은?
① 이동도의 단위는 [m2/V·s]이다.
② 도전율이 크면 이동도도 크다.
③ 온도가 증가하면 이동도는 증가한다.
④ 이동도가 크면 높은 주파수에 적합하다.
정답 확인
정답 ③
66번
MOSFET와 BJT의 최상의 특성만을 결합시킨 형태의 반도체 소자는?
① IGBT
② SCR
③ TRIAC
④ GTO
정답 확인
정답 ①
67번
금속과 반도체의 정류성 접촉을 이용한 반도체는?
① Zener Diode
② Tunnel Diode
③ Impact Diode
④ Schottky Barrier Diode
정답 확인
정답 ④
68번
접합 트랜지스터의 증폭작용은 베이스 영역에서의 어떤 전 하들의 확산에 의한 것인가?
① 소수 캐리어
② 다수 캐리어
③ 도너(Donor) 이온
④ 억셉터(Acceptor) 이온
정답 확인
정답 ①
69번
다음 중 일함수에 관한 설명으로 틀린 것은?
① 일함수는 이탈 준위와 페르미 준위와의 차로 나타난다.
② 일함수가 크면 적은 에너지로 많은 전자를 방출시킬 수 있다.
③ 일함수는 금속의 종류나 표면의 형태에 따라 다른 값을 갖는다.
④ 1개의 전자를 금속체로부터 공간으로 방출하는데 필요한 일의 양을 말한다.
정답 확인
정답 ②
70번
pn 접합 다이오드의 역포화 전류를 감소시키기 위한 방법으 로 틀린 것은?
① 저항률을 낮게 한다.
② 접합 면적을 적게 한다.
③ 다수 캐리어의 밀도를 높인다.
④ 소수 캐리어의 밀도를 높인다.
정답 확인
정답 ④
71번
주양자수 n=3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수 는?
① 2
② 8
③ 18
④ 32
정답 확인
정답 ③
72번
다음 중 SCR에 관한 설명으로 틀린 것은?
① 전류제어형 소자이다.
② 게이트 전극이 전도에 영향을 준다.
③ 터널 다이오드와 똑같은 특성의 부성저항 소자이다.
④ 다이라트론(thyratron)과 비슷한 특성을 가지고 있다.
정답 확인
정답 ③
73번
실내온도에서 진성반도체(Si)의 페르미 에너지(Ef)가 근사적 으로 금지대역의 중앙에 위치한다고 가정할 때, 전자가 전 도대의 바닥상태에 있을 확률은? (단, 실온에서 Si의 Eg=1.12eV이다.)
① 1
② 0.5
③ 1.1×10-6
④ 4.4×10-10
정답 확인
정답 ④
74번
반도체의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?
① 홀 효과가 크다.
② 빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
③ 불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.
④ 온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
정답 확인
정답 ③
75번
전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차 를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule)인가?
① 9.109×10-31
② 1.759×10-11
③ 1.602×1019
④ 6.547×1034
정답 확인
정답 ③
76번
베이스 증폭 접합형 트랜지스터의 전류 증폭율(α)은 0.95이 고, 차단 주파수(fα)는 5MHz이다. 이미터 접지로 사용할 때 차단 주파수(fβ)는?
① 263kHz
② 475kHz
③ 2.63MHz
④ 4.75MHz
정답 확인
정답 ①
77번
N형 불순물로 사용될 수 없는 것은?
① 인(P)
② 비소(As)
③ 안티몬(Sb)
④ 알루미늄(Al)
정답 확인
정답 ④
78번
반도체 재료의 제조시 고유저항을 측정하는 이유로 옳은 것 은?
① 불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
② 다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
③ 진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
④ 캐리어의 이동도를 결정하기 때문
정답 확인
정답 ①
79번
전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부 터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
① 충만대(filled band)
② 금지대(forbidden band)
③ 가전자대(valence band)
④ 전도대(conduction band)
정답 확인
정답 ④
80번
어떤 금속의 표면전위장벽(EB)가 13.47eV이고, 페르미 에너 지(Ef)가 8.95eV일 때, 이 금속의 일함수(Ew)는?
① 4.52eV
② 9.04eV
③ 11.21eV
④ 22.42eV
정답 확인
정답 ①
81번
다음 중에서 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명이 가장 옳은 것 은?
① 명령어를 해석한다.
② UNIX 커널의 일부이다.
③ 문서처리 기능을 갖는다.
④ 디렉토리 관리 기능을 갖는다.
정답 확인
정답 ①
82번
Associative 메모리와 가장 관련이 없는 것은?
① CAM(Content Addressable Memory)
② 고속의 Access
③ Key 레지스터
④ MAR(Memory Address Register)
정답 확인
정답 ④
83번
채널에 의한 입출력 방식에서 채널(channel)의 종류가 아닌 것은?
① counter channel
② selector channel
③ multiplexer channel
④ block multiplexer channel
정답 확인
정답 ①
84번
객체지향 언어이고 웹상의 응용 프로그램에 적합하도록 설 계된 언어는?
① 포트란(FORTRAN)
② C
③ 자바(java)
④ SQL
정답 확인
정답 ③
85번
10진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
① FE.D
② FF.E
③ 9F.8
④ FF.5
정답 확인
정답 ②
86번
2진수 (1110.0111)2을 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
① (7.7)16
② (14.14)16
③ (E.7)16
④ (E.E)16
정답 확인
정답 ③
87번
중앙처리장치의 주요기능과 담당하는 곳(역할)의 연결이 틀 린 것은?
① 기억기능 : 레지스터(register)
② 연산기능 : 연산기(ALU)
③ 전달기능 : 누산기(accumulator)
④ 제어기능 : 조합회로와 기억소자
정답 확인
정답 ③
88번
프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?
① 레지스터 모드
② 간접번지 모드
③ 상대번지 모드
④ 인덱스 어드레싱 모드
정답 확인
정답 ③
89번
컴퓨터의 구조 중 스택 구조에 대한 설명으로 가장 옳지 않 은 것은?
① 스택 메모리의 번지 레지스터로서 스택 포인터가 있으며 LIFO로 동작한다.
② 메모리에 항목을 저장하는 것을 PUSH라 하고 빼내는 동 작을 POP이라고 한다.
③ PUSH, POP 동작 시 SP를 증가시키거나 감소시키는 문 제는 스택의 구성에 따라 달라질 수 있다.
④ PUSH, POP 명령에서 스택과 오퍼랜드 사이의 정보 전 달을 위해서는 번지 필드가 필요 없다.
정답 확인
정답 ④
90번
CPU를 구성하는 구성 요소로서 ALU에서 처리하는 자료를 항상 기억하며 처리하고자 하는 데이터를 일시 기억하는 레 지스터는?
① ACC
② SR
③ IR
④ SP
정답 확인
정답 ①
91번
파이프라이닝(Pipelining)에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
① 프로세서가 이전 명령어를 마치기 전에 다음 명령어 수 행을 시작하는 기법이다.
② CPU가 필요한 데이터를 찾을 때 읽기와 쓰기 동작을 향 상시키는 기법이다.
③ 명령어 사이클들이 동 시간대에 중첩되어 처리되는 개념 을 나타낸다.
④ 단계별 시간차를 거의 동일하게 하면 속도향상을 꾀할 수 있다.
정답 확인
정답 ②
92번
콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
① dynamic micro-programming
② static micro-programming
③ horizontal micro-programming
④ vertical micro-programming
정답 확인
정답 ①
93번
기억번지와 1대 1로 부여되는 번지를 무슨 번지라고 하는 가?
① 상대번지
② 절대번지
③ 직접번지
④ 간접번지
정답 확인
정답 ②
94번
다음 중에서 일반적인 직렬 전송 통신 속도를 나타낼 때 사 용하는 단위는?
① LPM(Line Per Minute)
② CPM(Character Per Minute)
③ CPS(Character Per Second)
④ BPS(Bit Per Second)
정답 확인
정답 ④
95번
다음 C 프로그램의 실행 결과로 옳은 것은?
① i= 4, b= 6
② i= 5, b= 10
③ i= 6, b= 15
④ i= 10, b= 55
정답 확인
정답 ③
96번
스택(stack)이 반드시 필요한 명령문 형식은?
① 0-주소 형식
② 1-주소 형식
③ 2-주소 형식
④ 3-주소 형식
정답 확인
정답 ①
97번
다음 논리 연산자 중 데이터의 필요없는 부분을 지우고자 할 때 쓰는 연산자는?
① AND
② OR
③ EX-OR
④ NOT
정답 확인
정답 ①
98번
다음 중 데이터통신에 널리 쓰이며, 특히 마이크로프로세서 용으로 많이 사용되는 코드는?
① EBCDIC 코드
② Excess-3 코드
③ ASCII 코드
④ Gray 코드
정답 확인
정답 ③
99번
주소 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프 로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?
① direct addressing mode
② indirect addressing mode
③ absolute addressing mode
④ relative addressing mode
정답 확인
정답 ④
100번
C 언어의 지정어(reserved word)가 아닌 것은?
① auto
② default
③ enum
④ sum 종이 문제집이 아닌 인터넷으로 문제를 풀고 자동으로 채점하며 모의고사, 오답 노트, 해설까지 제공하는 무료 기출문제 학습 프 로그램으로 실제 시험에서 사용하는 OMR 형식의 CBT를 제공합 니다. PC 버전 및 모바일 버전 완벽 연동 교사용/학생용 관리기능도 제공합니다. 에서 확인하세요.