전자기사 2018년 2회 기출문제

2018-04-28 시행 · 84문항

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1번
대전 도체 표면전하밀도는 도체 표면의 모양에 따라 어떻게 분포하는가?
  1. ① 표면전하밀도는 뾰족할수록 커진다.
  2. ② 표면전하밀도는 평면일 때 가장 크다.
  3. ③ 표면전하밀도는 곡률이 크면 작아진다.
  4. ④ 표면전하밀도는 표면의 모양과 무관하다.
정답 확인

정답 ①

2번
Biot-Savart의 법칙에 의하면, 전류소에 의해서 임의의 한 점(P)에 생기는 자계의 세기를 구할 수있다. 다음 중 설명 으로 틀린 것은?
  1. ① 자계의 세기는 전류의 크기에 비례한다.
  2. ② MKS 단위계를 사용할 경우 비례상수는 1/4π이다.
  3. ③ 자계의 세기는 전류소와 점 P와의 거리에 반비례한다.
  4. ④ 자계의 방향은 전류소 및 이 전류소와 점 P를 연결하는 직선을 포함하는 면에 법선방향이다.
정답 확인

정답 ③

3번
일정전압의 직류전원에 저항을 접속하여 전류를 흘릴 때, 저항값을 20% 감소시키면 흐르는 전류는 처음 저항에 흐 르는 전류의 몇 배가 되는가?
  1. ① 1.0배
  2. ② 1.1배
  3. ③ 1.25배
  4. ④ 1.5배
정답 확인

정답 ③

5번
무한장 솔레노이드에 전류가 흐를 때 발생되는 자장에 관한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① 내부 자장은 평등자장이다.
  2. ② 외부 자장은 평등자장이다.
  3. ③ 내부 자장의 세기는 0이다.
  4. ④ 외부와 내부의 자장의 세기는 같다.
정답 확인

정답 ①

6번
N회 감긴 환상코일의 단면적이 S(m2)이고 평균 길이가 ℓ (m)이다. 이 코일의 권수를 2배로 늘이고 인덕턴스를 일정 하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?
  1. ① 길이를 2배로 한다.
  2. ② 단면적을 1/4로 한다.
  3. ③ 비투자율을 1/2배로 한다.
  4. ④ 전류의 세기를 4배로 한다.
정답 확인

정답 ②

7번
x ＞ 0인 영역에 ε1=3인 유전체, x ＜ 0인 영역에 ε2=5인 유전체가 있다. 유전율 ε2인 영역에서 전계가 E2 = 20ax + 30ay - 40az V/m 일 때, 유전율 ε1인 영역에서의 전계 E1(V/m)은? ax + 30ay - 40az
전자기사 2018년 2회 7번 문제 그림
  1. ① 20ax + 90ay - 40az
  2. ② 100ax + 10ay - 40az
  3. ③ 60ax + 30ay - 40az
정답 확인

정답 ①

9번
전계 (V/m)의 평면 전자파가 있다. 진공 중에서 자계의 실효값은 몇 A/m 인가?
  1. ① 0.707 × 10-3Ee
  2. ② 1.44 × 10-3Ee
  3. ③ 2.65 × 10-3Ee
  4. ④ 5.37 × 10-3Ee
정답 확인

정답 ③

10번
공기 중에서 코로나방전이 3.5kV/mm 전계에서 발생된다 고 하면, 이 때 도체의 표면에 작용하는 힘은 약 몇 N/m2 인가?
  1. ① 27
  2. ② 54
  3. ③ 81
  4. ④ 108
정답 확인

정답 ②

11번
매질 1의 μs1=500, 매질 2의 μs2=1000이다. 매질 2에서 경계면에 대하여 45°의 각도로 자계가 입사한 경우 매질 1에서 경계면과 자계의 각도에 가장 가까운 것은?
  1. ① 20°
  2. ② 30°
  3. ③ 60°
  4. ④ 80°
정답 확인

정답 ③

12번
유전율이 ε인 유전체 내에 있는 점전하 Q에서 발산되는 전기력선의 수는 총 몇 개인가?
  1. ① Q
  2. ② Q / ε0εs
  3. ③ Q / εs
  4. ④ Q / ε0
정답 확인

정답 ②

13번
대지의 고유저항이 ρ(Ω∙m)일 때 반지름 a(m)인 그림과 같 은 반구 접지극의 접지저항(Ω)은?
전자기사 2018년 2회 13번 문제 그림
  1. ① ρ / 4πa
  2. ② ρ / 2πa
  3. ③ 2πρ / a
  4. ④ 2πρa
정답 확인

정답 ②

15번
공기 중에서 1m 간격을 가진 두 개의 평행 도체 전류의 단위길이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 전류는 1A라 고 한다.)
  1. ① 2 × 10-7
  2. ② 4 × 10-7
  3. ③ 2π × 10-7
  4. ④ 4π × 10-7
정답 확인

정답 ①

16번
전하밀도 ρs(C/m2)인 무한 판상 전하분포에 의한 임의 점 의 전장에 대하여 틀린 것은?
  1. ① 전장의 세기는 매질에 따라 변한다.
  2. ② 전장의 세기는 거리 r에 반비례한다.
  3. ③ 전장은 판에 수직방향으로만 존재한다.
  4. ④ 전장의 세기는 전하밀도 ρs에 비례한다.
정답 확인

정답 ②

17번
히스테리시스 곡선에서 히스테리시스 손실에 해당하는 것 은?
  1. ① 보자력의 크기
  2. ② 잔류자기의 크기
  3. ③ 보자력과 잔류자기의 곱
  4. ④ 히스테리시스 곡선의 면적
정답 확인

정답 ④

19번
무한장 직선 전류에 의한 자계의 세기(AT/m)는?
  1. ① 거리 r2에 비례한다.
  2. ② 거리 r에 비례한다.
  3. ③ 거리 r2에 반비례한다.
  4. ④ 거리 r에 반비례한다.
정답 확인

정답 ③

20번
다음 (가), (나)에 대한 법칙으로 알맞은 것은?
전자기사 2018년 2회 20번 문제 그림
  1. ① (가)패러데이의 법칙, (나)렌츠의 법칙
  2. ② (가)렌츠의 법칙, (나)패러데이의 법칙
  3. ③ (가)플레밍의 왼손법칙, (나)패러데이의 법칙
  4. ④ (가)패러데이의 법칙, (나)플레밍의 왼손법칙
정답 확인

정답 ①

21번
그림과 같은 회로에서 최대 전력이 공급되기 위한 복소임 피던스(ZL)의 값은?
전자기사 2018년 2회 21번 문제 그림
  1. ① 20+j20
  2. ② 20-j20
  3. ③ 100+j100
  4. ④ 100-j100
정답 확인

정답 ②

22번
인덕턴스 0.01H의 코일에 전압 100V인 교류신호를 가하였 을 때 이 코일에 흐르는 전류는 몇 A 인가? (단, 주파수는 50㎐이다.)
  1. ① 28.8 ∠ 90°
  2. ② 28.8 ∠ -90°
  3. ③ 31.8 ∠ 90°
  4. ④ 31.8 ∠ -90°
정답 확인

정답 ④

23번
단위 세기의 임펄스 함수인 δ(t)의 Fourier 변환은?
  1. ① 0
  2. ② 1
  3. ③ ejωt
  4. ④ 1 / jω
정답 확인

정답 ②

24번
2개의 4단자 회로를 연결했을 때 전체 임피던스 파라미터 가 각각의 임피던스 파라미터의 합으로 표시되었다면 2개 의 4단자 회로에 연결 상태로 옳은 것은?
  1. ① 병렬 접속되어 있다.
  2. ② 직렬 접속되어 있다.
  3. ③ 직병렬 접속되어 있다.
  4. ④ 단락상태로 되어 있다.
정답 확인

정답 ②

25번
t=0일 때 스위치를 닫으면 C에 걸리는 전압의 과도현상을 올바르게 표현한 것은? 26. 에서 정저항 회로가 되기 위한 조 건으로 옳은 것은? (단, A0, A1, B0, B1은 ω의 함수로 실수이 다.)
전자기사 2018년 2회 25번 문제 그림전자기사 2018년 2회 25번 문제 그림전자기사 2018년 2회 25번 문제 그림
  1. ① A0B0 = A1B1
  2. ② A0A1 = B0B1
  3. ③ A0B1 = A1B0
  4. ④ 항상 정저항 회로이다.
정답 확인

정답 ③

27번
컨덕턴스가 G = G0 + 2G1cosω0t인 회로에 정현파 전압 V = V0ejωt을 인가할 때, 전류의 주파수 성분이 아닌 것은?
  1. ① ω
  2. ② ω - ω0
  3. ③ ω + ω0
  4. ④ ω × ω0
정답 확인

정답 ④

28번
내부 임피던스가 순저항 50Ω인 전원과 450Ω의 순저항 부 하 사이에 임피던스 정합을 위한 이상변압기의 권선비 N1 : N2는?
  1. ① 1 : 2
  2. ② 1 : 3
  3. ③ 2 : 3
  4. ④ 1 : 4
정답 확인

정답 ②

30번
이상변압기의 합성인덕턴스는 얼마인가?
  1. ① 24[H]
  2. ② 36[H]
  3. ③ 54[H]
  4. ④ 68[H]
정답 확인

정답 ③

31번
단위 계단함수 u(t)을 라플라스 변환하면?
  1. ① 1
  2. ② 1/s
  3. ③ s
  4. ④ ts
정답 확인

정답 ②

32번
두 개의 코일 L1과 L2을 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100mH이고, 반대방향으로 접속 하였더니 합성인덕턴스가 40mH 였다. 이때, L1=60mH이면 결합계 수(K)는 약 얼마인가?
  1. ① 0.5
  2. ② 0.6
  3. ③ 0.7
  4. ④ 0.8
정답 확인

정답 ②

33번
회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았 을 때 바로 직후의 vL(0+)과 vC(0+)로 적절한 것은? (단, t ＜0 에서 vC=3V이다.)
전자기사 2018년 2회 33번 문제 그림
  1. ① vL(0+)=2V, vC(0+)=3V
  2. ② vL(0+)=0V, vC(0+)=0V
  3. ③ vL(0+)=0V, vC(0+)=3V
  4. ④ vL(0+)=2V, vC(0+)=0V
정답 확인

정답 ①

36번
위상 정수 β가 π/2 [rad/m]인 선로에 대해 10[MHz]의 주파수를 인가한 경우 위상 속도 v[m/s]와 파장 λ[m]을 구하면?
  1. ① v = 4 × 107, λ = 4
  2. ② v = 8 × 107, λ = 8
  3. ③ v = 4 × 107, λ = π/4
  4. ④ v = 8 × 107, λ = π/2
정답 확인

정답 ①

38번
다음 T형 회로에 대한 임피던스 파라미터인 개방 순방향 전달 임피던스(Z21)의 값으로 옳은 것은?
전자기사 2018년 2회 38번 문제 그림전자기사 2018년 2회 38번 문제 그림
  1. ① 3
  2. ② 4
  3. ③ 5
  4. ④ 7
정답 확인

정답 ①

41번
전력증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?
  1. ① C급의 효율은 70~90% 정도이다.
  2. ② 전력효율(η)은 (교류출력÷교류입력)×100%이다.
  3. ③ 최대 컬렉터손실이란 트랜지스터의 내부에서 빛에너지 로 소비되는 최대전력을 말한다.
  4. ④ A급의 효율이 가장 낮아 전력증폭기에는 사용하지 못 하고 단지 반송파 증폭이나 체배용으로 사용을 한다.
정답 확인

정답 ①

43번
브리지 전파정류회로에서 출력전압 VO의 전압은 몇 V 인 가? (단, AC 입력 전압 Vin은 실효값이 220V이다.)
전자기사 2018년 2회 43번 문제 그림
  1. ① 220[V]
  2. ② 311[V]
  3. ③ 440[V]
  4. ④ 560[V]
정답 확인

정답 ②

44번
다음 전감산기의 진리표에서 출력차(D)와 자리빌림수(B) 는?
전자기사 2018년 2회 44번 문제 그림
  1. ① ㉠ : 0, ㉡ : 1, ㉢ : 0, ㉣ : 1
  2. ② ㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 0, ㉣ : 1
  3. ③ ㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 1, ㉣ : 0
  4. ④ ㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 0, ㉣ : 0
정답 확인

정답 ②

45번
그림과 같은 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q3의 용도로 올 바르게 표현한 것은?
전자기사 2018년 2회 45번 문제 그림
  1. ① 트랜지스터 Q1과 Q2의 온도보상용
  2. ② 트랜지스터 Q1과 Q2의 바이어스 안정용
  3. ③ 트랜지스터 Q1과 Q2의 구동용
  4. ④ 트랜지스터 Q1과 Q2의 증폭도 안정용
정답 확인

정답 ③

46번
공통 베이스 증폭기의 특징이 아닌 것은?
  1. ① 전압이득이 아주 크기 때문에 단독으로 전압증폭기를 사용한다.
  2. ② 전류이득은 1에 가까운 값을 가진다.
  3. ③ 매우 작은 입력저항을 가진다.
  4. ④ 소신호 출력저항이 매우 크다.
정답 확인

정답 ①

47번
그림과 같은 플립플롭의 입력단자 T에 클록펄스가 인가될 경우 출력 (Q(t+1))은? (단, 현재 값을 Q(t)로 가정한다.)
  1. ① T=0일 때 출력 상태는 현재 값을 반전시켜 출력한다.
  2. ② T=0일 때 출력은 알 수가 없다.
  3. ③ T=1일 때 출력은 현재 값을 유지하여 출력한다.
  4. ④ T=1일 때 출력 상태는 현재 값을 반전시켜 출력한다.
정답 확인

정답 ④

48번
슈미트 트리거 회로에 관한 설명 중 틀린 것은?
  1. ① 입력과 출력 전압을 비교하는 전압 비교 회로에 이용된 다.
  2. ② 입력 전압의 크기에 따라서 2개 트랜지스터 출력의 on, off를 번갈아 가며 안정상태를 유지하는 쌍안정 회로에 이용된다.
  3. ③ 입력의 아날로그 신호를 출력에서는 디지털신호로 변환 하므로, A/D 변환 회로에 이용된다.
  4. ④ 입력 신호의 파형은 주로 펄스 파형을 사용하고 가끔씩 정현파 교류전압을 사용한다.
정답 확인

정답 ④

49번
다음 그림과 같은 연산 증폭기의 기능은 무엇인가?
전자기사 2018년 2회 49번 문제 그림
  1. ① 미분회로
  2. ② 가산회로
  3. ③ 감산회로
  4. ④ 적분회로
정답 확인

정답 ③

51번
다이오드를 사용한 정류회로에서 여러 개의 다이오드를 직 렬로 연결사용하여 얻어지는 효과로 가장 올바른 것은?
  1. ① 다이오드의 내부 전압강하를 감소시킬 수 있다.
  2. ② 리플을 감소시킨다.
  3. ③ 다이오드를 과도전압으로부터 보호할 수 있다.
  4. ④ 전류용량을 증가시킨다.
정답 확인

정답 ③

53번
다음과 같은 DTL 논리 회로의 게이트 기능은?
전자기사 2018년 2회 53번 문제 그림
  1. ① NAND
  2. ② NOR
  3. ③ AND
  4. ④ NOT
정답 확인

정답 ①

54번
반파 정류된 파형의 평균값은? (단, 입력 전압은 Vp가 1V 인 정현파로 가정한다.)
  1. ① 1V / π
  2. ② √2 V / π
  3. ③ 2V / π
  4. ④ 3V / π
정답 확인

정답 ①

55번
귀환회로에 관한 설명으로 틀린 것은?
  1. ① 귀환 증폭기의 폐루프 이득이 귀환율에 의해 결정된다.
  2. ② 귀환회로에 의해서 결정되는 안정된 폐루프 이득을 갖 게 된다.
  3. ③ 출력과 귀환신호의 비를 귀환율이라 한다.
  4. ④ 부귀환 증폭기는 출력신호의 위상이 입력신호의 위상과 동위상인 시스템이다.
정답 확인

정답 ④

56번
트랜지스터의 스위칭 작용에 의해서 발생된 펄스 파형에서 turn-on 시간은?
  1. ① 하강시간
  2. ② 상승시간 + 지연시간
  3. ③ 축적시간 + 하강시간
  4. ④ 축적시간
정답 확인

정답 ②

57번
적분회로로 사용이 가능한 회로는?
  1. ① 고역통과 RC 회로
  2. ② 대역통과 RC 회로
  3. ③ 대역소거 RC 회로
  4. ④ 저역통과 RC 회로
정답 확인

정답 ④

58번
다음 회로에서 VCE = 6.5V이 되기 위한 귀환 저항기(Rb)의 값으로 가장 적당한 것은? (단, 여기서 VBE=0.7V, β=100 이다.)
전자기사 2018년 2회 58번 문제 그림
  1. ① 약 129㏀
  2. ② 약 275㏀
  3. ③ 약 319㏀
  4. ④ 약 421㏀
정답 확인

정답 ③

61번
어떠한 물질에서 전자를 방출시키는 직접적인 방법으로 틀 린 것은?
  1. ① 그 물질을 압축시킨다.
  2. ② 그 물질에 빛을 조사한다.
  3. ③ 그 물질에 전자를 충돌시킨다.
  4. ④ 그 물질에 열을 가한다.
정답 확인

정답 ①

62번
도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 VH2, 전류밀도(J) 및 자 계(B)사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, RH는 상수이다.)
  1. ① VH = RH⋅B⋅J
  2. ② VH = RH⋅B/J
  3. ③ VH = RH⋅J/B
  4. ④ VH = RH / B⋅J
정답 확인

정답 ①

63번
pnp 트랜지스터의 이미터 효율을 정의한 것은?
  1. ① 정공전류성분 / 정공전류성분 + 전자전류성분
  2. ② 전자전류성분 / 정공전류성분 + 전자전류성분
  3. ③ 정공전류성분 + 전자전류성분 / 정공전류성분
  4. ④ 정공전류성분 + 전자전류성분
정답 확인

정답 ①

64번
반도체는 절대온도 0[K]에서 절연체, 상온에서 절연체와 도체의 중간적 성질을 가진다. 만일 불순물의 농도가 증가 하였을 때, 도전율(σ)과 고유저항(ρ)은 어떻게 되는가?
  1. ① 도전율(σ)은 감소하고 고유저항(ρ)은 증가한다.
  2. ② 도전율(σ)은 증가하고 고유저항(ρ)은 감소한다.
  3. ③ 도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
  4. ④ 도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
정답 확인

정답 ②

65번
다음 보기의 설명이 나타내는 것은?
전자기사 2018년 2회 65번 문제 그림
  1. ① 보어의 이론
  2. ② 빈의 변위법칙
  3. ③ 파울리의 배타율
  4. ④ 에너지 보존법칙
정답 확인

정답 ③

66번
외인성 반도체(n형)에서 도너(Donor) 에너지 레벨의 위치 는?
  1. ① 전도대 바로 아래에 위치해 있다.
  2. ② 가전자대 바로 아래에 위치해 있다.
  3. ③ 금지대 바로 아래에 위치해 있다.
  4. ④ 전도대 중앙에 위치해 있다.
정답 확인

정답 ①

67번
진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보 다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?
  1. ① Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
  2. ② Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
  3. ③ Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.
  4. ④ Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.
정답 확인

정답 ②

68번
반도체의 특성에 관한 설명 중 틀린 것은?
  1. ① 정의 온도계수를 갖는다.
  2. ② 자기효과를 갖는다.
  3. ③ 불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다.
  4. ④ 금속과의 접촉 및 다른 종류의 반도체와의 접합에서 정 류작용을 한다.
정답 확인

정답 ①

69번
원자에서 최외각전자 1개를 떼어낼 때 필요한 에너지, 즉 전자를 떼어서 무한대 거리까지 가져가는데 필요한 에너지 는 무엇인가?
  1. ① 운동에너지
  2. ② 위치에너지
  3. ③ 이온화에너지
  4. ④ 광자의 에너지
정답 확인

정답 ③

70번
다음과 같은 원리와 관계되는 것은?
전자기사 2018년 2회 70번 문제 그림
  1. ① 홀 효과(Hall effect)
  2. ② 콤프턴 효과(Compton effect)
  3. ③ 쇼트키 효과(Schottky effect)
  4. ④ 흑체방사(black body radiation)
정답 확인

정답 ②

71번
2×104[m/s]의 속도로 운동하는 전자의 드-브로이(de Broglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626 × 10-34[J·s], 전자의 질량은 9.1 × 10-31[kg]이다.)
  1. ① 1.21 × 10-16 [m]
  2. ② 1.82 × 10-26 [m]
  3. ③ 1.64 × 1034 [m]
  4. ④ 3.64 × 10-8 [m]
정답 확인

정답 ④

72번
저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타 내는데 가장 적절한 것은?
  1. ① 2차 분포함수
  2. ② Fermi-Dirac 분포함수
  3. ③ Bose-Einstein 분포함수
  4. ④ Maxwell-Boltzmann 분포함수
정답 확인

정답 ②

73번
다음 중 Pauli의 배타율 원리가 만족되는 분포함수는?
  1. ① Maxwell-Boltzmann
  2. ② Fermi-Dirac
  3. ③ Schrödinger
  4. ④ Einstein
정답 확인

정답 ②

74번
MOSFET의 채널폭이 공픽층 길이와 거의 같은 크기일 때, 필드 산화막 아래에서 축적된 전하에 의해 문턱전압이 증 가하는 효과를 무엇이라고 하는가?
  1. ① Kirk 효과
  2. ② 감압효과
  3. ③ 협폭효과
  4. ④ 터널효과
정답 확인

정답 ③

75번
n 채널 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
  1. ① 전자의 확산 현상
  2. ② 정공의 확산 현상
  3. ③ 정공의 드리프트 현상
  4. ④ 전자의 드리프트 현상
정답 확인

정답 ④

76번
가전자대의 전자밀도가 1022[m-3]인 금속에 전류밀도가 106[A/m2]인 전류가 흐른다면 드리프트 속도는?
  1. ① 6.25 × 104m/s]
  2. ② 6.25 × 10-4[m/s]
  3. ③ 6.25 × 102[m/s]
  4. ④ 6.25 × 10-2[m/s]
정답 확인

정답 ③

77번
열평형 상태인 pn접합 다이오드에서 p영역의 전자밀도를 np 라 하면, n영역의 전자농도 nn은? (단, VO는 전위장벽, K는 볼츠만 상수, T는 절대온도이다.)
  1. ① nn = npe-(qVo/kT)
  2. ② nn = npln( )
  3. ③ nn = npeqVo/kT
  4. ④ nn = npln( )
정답 확인

정답 ④

78번
건(Gunn) 다이오드에서 부성저항이 생기는 원인은?
  1. ① 캐리어농도의 전압의존성
  2. ② 캐리어농도의 온도의존성
  3. ③ 유효질량의 온도의존성
  4. ④ 유효질량의 전압의존성
정답 확인

정답 ④

79번
pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때 나타나 는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전 압(breakdown voltage) 보다는 낮은 범위이다.)
  1. ① 이온화된 도너와 억셉터 이온이 작아진다.
  2. ② 공핍층이 더 넓어진다.
  3. ③ 공핍층이 좁아진다.
  4. ④ 공핍층이 없어진다.
정답 확인

정답 ②

80번
태양광을 DC 전기에너지로 변환하는데 사용하는 반도체 pn접합 소자를 무엇이라 하는가?
  1. ① 배리스터
  2. ② 태양전지
  3. ③ 플래시 메모리
  4. ④ 레이저 다이오드
정답 확인

정답 ②

81번
레지스터에 내에 저장된 어떤 수를 2배, 4배, 8배 등의 2 의 승수에 해당하는 배수를 구할 때 사용할 수 있는 가장 효율적인 연산자는?
  1. ① Complement
  2. ② Rotate
  3. ③ Shift
  4. ④ Move
정답 확인

정답 ③

82번
1024 × 16 비트의 주기억장치를 가진 컴퓨터에서 MAR(Memory Address Register)과 MBR(Memory Buffer Register)의 비트 수는?
  1. ① MAR=6bits, MBR=10bits
  2. ② MAR=10bits, MBR=6bits
  3. ③ MAR=10bits, MBR=16bits
  4. ④ MAR=18bits, MBR=10bits
정답 확인

정답 ③

83번
FIFO 구조를 가지는 자료의 구조는?
  1. ① QUEUE
  2. ② STACK
  3. ③ TREE
  4. ④ GRAPH
정답 확인

정답 ①

84번
메모리에 관한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
  1. ① 캐시메모리는 주로 주기억장치만으로 부족한 용량을 보 조하기 위한 용도로 사용된다.
  2. ② RAM은 휘발성 메모리이다.
  3. ③ ROM은 읽기 전용 메모리이다.
  4. ④ Dynamic RAM은 주기적인 재충전(Refresh)이 필요한 메모리이다.
정답 확인

정답 ①

85번
입출력 장치의 인터럽트 신호공급 방식이 아닌것은?
  1. ① 폴링(polling) 방식
  2. ② 데이지 체인(daisy chain) 방식
  3. ③ 메모리 어드레스 레지스터(memory address register) 방식
  4. ④ 벡터 인터럽트(vector interrupt) 방식
정답 확인

정답 ③

86번
입출력장치에서의 자료처리 방법에 대한 설명으로 가장 옳 지 않은 것은?
  1. ① DMA방식은 입출력장치가 CPU를 거치지 않고 직접 메 모리에 연결하여 필요한 정보를 서비스 받는 방식이다.
  2. ② 인터럽트 입출력 방식은 CPU가 입출력 상태를 항상 선 별하여 정보전송을 하는 방식이다.
  3. ③ 프로그램 입출력 방식은 입출력장치의 자료 대기시간이 전체 시스템의 효율을 저하시킴으로 빠른 자료전송을 요구하는 경우에는 사용이 어렵다.
  4. ④ DMA는 Direct Memory Access의 약어이다.
정답 확인

정답 ②

87번
어셈블리 언어에서 서브루틴을 사용할 때 미리 고려할 사 항으로 가장 옳지 않은 것은?
  1. ① 스택 영역을 확보한다.
  2. ② 스택포인터를 초기화한다.
  3. ③ 레지스터의 중복 사용을 가능한 배제한다.
  4. ④ 서브루틴 실행 후 복귀(return)할 번지를 프로그래머가 사전에 결정한다.
정답 확인

정답 ④

88번
CPU의 명령어 구성에서 연산코드(OP코드) 필드가 8 비트 라면 총 몇 개의 명령어를 수행할 수 있는가?
  1. ① 64
  2. ② 128
  3. ③ 256
  4. ④ 512
정답 확인

정답 ③

89번
니모닉코드로 나타나 있는 명령어를 기계가 알 수 있는 2 진수로 변환하는 기능을 하는 프로그램은?
  1. ① Assembler
  2. ② Compiler
  3. ③ Interpreter
  4. ④ Processor
정답 확인

정답 ①

90번
스택(Stack)의 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
  1. ① 주로 0-주소(Zero-Address) 명령어를 수행하기 위한 자료구조로 사용된다.
  2. ② 길이가 가변적이다.
  3. ③ LIFO(Last In First Out)의 특징을 갖는다.
  4. ④ 스택의 탑(Top)에 데이터를 입력하는 동작을 POP이라 한다.
정답 확인

정답 ④

91번
데이터 인출(Data Fetch)을 위해서 메모리를 참조할 필요 가 없는 명령어의 주소지정방식은?
  1. ① 직접 주소지정(Direct Addressing)
  2. ② 간접 주소지정(Indirect Addressing)
  3. ③ 레지스터 주소지정(Register Addressing)
  4. ④ 즉시 주소지정(Immediate Addressing)
정답 확인

정답 ④

92번
CPU의 내부구조를 나타내는 레지스터 중 메모리로부터 읽 은 명령어를 보관하는 레지스터는?
  1. ① ALU(Arithmetic Logic Unit)
  2. ② IR(Instruction Register)
  3. ③ PC(Program Counter)
  4. ④ MAR(Memory Address Register)
정답 확인

정답 ②

93번
CPU의 연산장치에 속하는 레지스터가 아닌것은?
  1. ① 프로그램 카운터
  2. ② 누산기
  3. ③ 시프트 레지스터
  4. ④ 가산기
정답 확인

정답 ①

94번
컴파일러에 의해 컴파일 된 목적프로그램의 설명으로 가장 옳은 것은?
  1. ① 사용자가 이해하기 쉬운 프로그램이다.
  2. ② 어셈블러를 거쳐서 기계어로 번역된 프로그램이다.
  3. ③ CPU가 직접 해독 할 수 없다.
  4. ④ 고급 언어에 해당하며 객체 지향적인 프로그램이다.
정답 확인

정답 ②

95번
마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분 을 제거하는데 사용하는 연산은?
  1. ① AND
  2. ② OR
  3. ③ EX-OR
  4. ④ NOR
정답 확인

정답 ①

96번
다음의 프로그래밍 언어 중 객체지향 언어에 속하지 않는 것은?
  1. ① JAVA
  2. ② C#
  3. ③ PASCAL
  4. ④ Smalltalk
정답 확인

정답 ③

97번
컴파일러에서 하나의 프로그램이 처리되는 과정을 옳게 나 열한 것은?
  1. ① 번역 → 적재 → 실행
  2. ② 번역 → 실행 → 적재
  3. ③ 적재 → 실행 → 번역
  4. ④ 적재 → 번역 → 실행
정답 확인

정답 ①

98번
마이크로프로세서의 특징이라고 볼 수 없는 것은?
  1. ① 뛰어난 처리 속도
  2. ② 설계상 변화가 용이
  3. ③ 구조 변경의 어려움
  4. ④ TTL과 ECL 사용
정답 확인

정답 ③

99번
(42)10를 8비트 2진수로 나타낸 경우 1비트 산술적 우측 시프트 하였을 때의 값을 10진수로 나타내면?
  1. ① 20
  2. ② 21
  3. ③ 84
  4. ④ 85
정답 확인

정답 ②

100번
다음 논리도가 나타내는 회로는?
전자기사 2018년 2회 100번 문제 그림
  1. ① half-adder
  2. ② full-adder
  3. ③ half-subtracter
  4. ④ full-subtracter 종이 문제집이 아닌 인터넷으로 문제를 풀고 자동으로 채점하며 모의고사, 오답 노트, 해설까지 제공하는 무료 기출문제 학습 프 로그램으로 실제 시험에서 사용하는 OMR 형식의 CBT를 제공합 니다. PC 버전 및 모바일 버전 완벽 연동 교사용/학생용 관리기능도 제공합니다. 에서 확인하세요.
정답 확인

정답 ①

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